ESDN12VD3 是一款基于硅工艺制造的瞬态电压抑制器(TVS),属于 ESDN 系列,专为保护电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击浪涌等过电压威胁而设计。该器件具有极低的电容特性,非常适合用于高速数据线保护,如 USB、HDMI 和其他高速接口。它采用了 DO-214AC 小型封装形式,有助于节省电路板空间。
工作电压:12V
峰值脉冲电流:8A
箝位电压:16.9V
结电容:0.4pF
响应时间:1ps
最大工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:DO-214AC
ESDN12VD3 的主要特点是其超低的结电容(仅为 0.4pF),这对高频信号传输至关重要,可以最大程度减少对信号完整性的干扰。
此外,它的快速响应时间(1ps)确保能够及时抑制瞬态电压,从而有效保护敏感的电子元器件。
此 TVS 器件还具有较高的峰值脉冲电流承受能力(8A),适用于各种恶劣环境下的应用需求。
其小型封装设计使其易于集成到紧凑型电子产品中,同时支持表面贴装技术(SMT),便于大规模生产。
ESDN12VD3 广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及工业自动化领域。典型的应用场景包括高速数据接口保护(例如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort)、网络设备中的以太网端口保护、手机和其他便携式设备中的射频线路保护以及汽车电子系统的信号线路防护。
ESDN12BD3, ESDN12VD4, PESD12VA3