时间：2025/8/16 12:32:01
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ESDBVD3V3D3是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的静电放电（ESD）保护二极管阵列，专门用于保护敏感的电子电路免受静电放电和瞬态电压的损害。该器件采用小型DFN封装，适用于便携式电子产品和高速数据线路的保护应用。
工作电压: 3.3V
钳位电压: 最大为7.5V（在IEC 61000-4-2 Level 4条件下）
反向击穿电压: 最小为4.3V
响应时间: 小于1纳秒
最大反向漏电流: 0.1μA（典型值）
电容值: 最大为10pF
ESD保护等级: ±20kV（接触放电）
封装类型: DFN
ESDBVD3V3D3具有优异的ESD保护性能，能够在极端的静电放电条件下为电路提供可靠保护。该器件的钳位电压非常低，确保在ESD事件发生时不会对被保护的电路造成额外的应力。此外，其快速响应时间小于1纳秒，能够有效抑制瞬态电压，防止其对电路造成损害。
该器件的反向漏电流非常低，通常仅为0.1μA，因此在正常工作条件下几乎不会对电路产生任何影响。其低电容特性（最大为10pF）使其非常适合用于高速数据线路的保护，如USB接口、HDMI接口等，避免对信号完整性造成干扰。
ESDBVD3V3D3采用DFN封装，体积小巧，适合用于空间受限的设计。该器件符合RoHS标准，适用于环保型电子产品设计。其ESD保护等级达到±20kV（接触放电），符合IEC 61000-4-2标准的要求，能够为便携式电子设备提供强大的保护能力。
ESDBVD3V3D3广泛应用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，用于保护USB接口、HDMI接口、音频接口等高速数据线路免受静电放电和瞬态电压的损害。此外，它也可用于保护通信设备、工业控制系统和消费类电子产品中的敏感电子元件。
PESD3V3U2DFN, ESD9331SC
