类型：单向ESD保护二极管
　　工作电压：7V
　　反向击穿电压：典型值为7.89V
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：3A（8/20μs波形）
　　钳位电压：最大14.4V（在IPP=3A时）
　　响应时间：小于1纳秒
　　封装形式：SOD-323（SC-76）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　最大反向漏电流：100nA（最大值，在VR=7V时）
　　功率耗散：300mW

ESDBM7V0A1具有优异的ESD保护性能，能够承受IEC 61000-4-2标准中规定的±8kV接触放电和±15kV空气放电，确保在极端静电环境下依然提供可靠的保护。该器件的低钳位电压特性使得在瞬态电压事件中能够迅速将电压限制在安全范围内，从而减少对后级电路的冲击。此外，其快速响应时间低于1纳秒，有助于在瞬态事件发生的最初阶段就进行有效的电压抑制。
　　ESDBM7V0A1采用SOD-323小型封装，适合高密度PCB布局，并且具有良好的热稳定性和机械强度。该器件的低电容特性（通常为20pF）使其适用于高速数据线路的保护，不会对信号完整性造成明显影响。由于其单向二极管结构，ESDBM7V0A1特别适用于直流或单极性信号线路的保护应用，例如USB接口、HDMI端口、以太网接口等。此外，该器件符合RoHS环保标准，适合现代电子产品对环保材料的要求。

ESDBM7V0A1广泛应用于各种电子设备中，用于保护敏感电路免受静电放电和其他瞬态电压的损害。其典型应用包括USB 2.0和USB 3.0接口保护、HDMI和DisplayPort接口保护、以太网和CAN总线通信线路保护、音频和视频信号线路保护、便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑、数码相机）的数据和电源线路保护，以及工业控制系统和汽车电子中的传感器和通信接口保护。

ESD5Z7V0U、PESD7V0S1BA、TPD3E081