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ESDB12V0D3 发布时间 时间:2025/6/17 5:06:16 查看 阅读:3

ESDB12V0D3 是一款基于硅技术的瞬态电压抑制器 (TVS),设计用于保护敏感电子设备免受因静电放电 (ESD)、雷击和其他瞬态过压事件引起的损害。该器件具有低电容特性,非常适合高速数据线路和高频应用。其单向结构使其特别适用于直流电源线或信号线路的保护。

参数

工作电压:12V
  峰值脉冲电流:56A
  最大反向工作电压:12.8V
  击穿电压:13.4V
  箝位电压:29.7V
  结电容:3.8pF
  响应时间:1ps
  漏电流:1μA(最大值)

特性

ESDB12V0D3 提供了出色的瞬态抑制性能,具有超低的电容以确保对高速信号的影响最小化。
  其单向二极管设计可以有效阻止反向电流流动,提供额外的安全性。
  器件符合 RoHS 标准,采用紧凑型 DO-214 AC 封装,适合表面贴装技术 (SMT) 工艺。
  由于其快速响应时间和高能量处理能力,该 TVS 二极管能够可靠地保护电路免受各种过压威胁。

应用

广泛应用于 USB 端口、HDMI 接口、以太网端口、移动通信设备以及其他需要 ESD 和过压保护的高速接口。
  在汽车电子中,它可用于 CAN 总线、LIN 总线等通信系统的保护。
  此外,还适用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及物联网设备中的保护电路。

替代型号

ESDA12V0D3, PESD12V0Y, SM12A

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