时间：2025/5/31 2:30:39
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ESD9N5V-2/TR 是一款基于硅材料的瞬态电压抑制器（TVS），主要用于保护电子设备免受静电放电（ESD）和其它瞬态电压的影响。它采用了双向设计，能够承受高能量的瞬态脉冲，并具有极低的电容特性，非常适合高速数据线和信号线的保护应用。该器件符合AEC-Q101标准，适合汽车级应用。
工作电压：±5V
峰值脉冲电流：±7.4A（8/20μs波形）
动态电阻：≤0.3Ω
最大击穿电压：6.8V
钳位电压：±11.4V（在7.4A时）
结电容：≤1pF
响应时间：≤1ps
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 双向设计，支持正负方向的过压保护。
2. 极低的结电容（≤1pF），适合高速信号线路。
3. 快速响应时间（≤1ps），可有效抑制快速瞬态电压。
4. 符合AEC-Q101标准，适用于汽车级应用。
5. 能够承受高达±7.4A的峰值脉冲电流，提供强大的保护能力。
6. 小型化封装（如SOD-323），节省PCB空间。
7. 高可靠性，能够在恶劣环境下长期稳定工作。
ESD9N5V-2/TR 主要应用于需要高性能ESD保护的场景，包括但不限于：
1. 汽车电子系统中的高速数据接口保护（如CAN、LIN、FlexRay等）。
2. 消费类电子产品的USB、HDMI、DisplayPort等高速接口保护。
3. 工业控制设备中的信号传输线路保护。
4. 通信设备中的天线端口保护。
5. 医疗设备中的敏感电路保护。
6. 任何需要低电容和快速响应保护的电子线路。
ESD9L5V0-2/TR, ESD9M5V0-2/TR, PESD5V0R0HT2BS
