ESD7551N2T5G 时间：2025/6/17 5:06:52 阅读：4

ESD7551N2T5G是一种高性能的瞬态电压抑制器（TVS），专门设计用于保护电子设备免受静电放电（ESD）、雷击和其它瞬态电压事件的影响。该器件采用先进的硅雪崩技术制造，具有低电容、快速响应时间和高浪涌能力等特点，适用于高速信号线和数据接口的保护。
　　ESD7551N2T5G符合AEC-Q101汽车级标准，能够在极端环境条件下稳定工作。其小型化的SOD-323封装形式使其非常适合空间受限的应用场景。

参数

工作电压：5.8V
　　反向关断电压：5.8V
　　击穿电压：7.5V
　　最大箝位电压：12.4V
　　峰值脉冲电流：67A
　　结电容：12pF
　　响应时间：1ps
　　漏电流：1μA（最大值，在25°C时）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

ESD7551N2T5G具备以下关键特性：
　　1. 快速响应时间：能够迅速抑制瞬态电压，有效防止敏感电路受到损害。
　　2. 低结电容：仅12pF，适合高速数据线保护，如USB、HDMI等接口。
　　3. 高浪涌能力：可承受高达67A的峰值脉冲电流，确保在强干扰环境下依然可靠。
　　4. 汽车级可靠性：通过AEC-Q101认证，适应恶劣的工作条件。
　　5. 小型化封装：采用SOD-323封装，节省PCB空间。
　　6. 宽工作温度范围：支持从-55℃到+150℃的极端温度区间，保证在各种气候下的稳定性。

应用

ESD7551N2T5G广泛应用于需要高性能保护的各种电子系统中，包括但不限于：
　　1. 汽车电子：车载信息娱乐系统、远程信息处理模块、CAN/LIN总线接口等。
　　2. 工业设备：通信接口、传感器线路、控制单元等。
　　3. 消费类电子产品：智能手机、平板电脑、笔记本电脑的接口保护。
　　4. 网络与通信设备：以太网端口、无线模块、射频线路等。
　　5. 医疗设备：患者监护仪、超声波设备等对可靠性和安全性要求极高的场景。