时间：2023/3/1 11:28:14
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雪崩电压VBR Min.(V):5
雪崩电压VBR Nom.(V):－
雪崩电压VBR Max.(V):－
雪崩电压VBR Min.(V):5
雪崩电压VBR Nom.(V):－
雪崩电压VBR Max.(V):－
IT(mA):1
峰值反向工作电压VRWM(V):3.300
最大反向漏电流IR(uA):0.050
最大反向电压(钳位电压)VC(V):14.100
最大反向浪涌电流Ipp(A):11.200
典型电容（pF）@0V:105
保护线数:一线
封装/温度(℃):SOD523/-55~150
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
