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ESD5Z3.3T1G 发布时间 时间：2023/3/1 11:28:14 查看 阅读：493

    雪崩电压VBR Min.(V):5

    雪崩电压VBR Nom.(V):－

    雪崩电压VBR Max.(V):－

   

目录

概述

    雪崩电压VBR Min.(V):5

    雪崩电压VBR Nom.(V):－

    雪崩电压VBR Max.(V):－

    IT(mA):1

    峰值反向工作电压VRWM(V):3.300

    最大反向漏电流IR(uA):0.050

    最大反向电压(钳位电压)VC(V):14.100

    最大反向浪涌电流Ipp(A):11.200

    典型电容（pF）@0V:105

    保护线数:一线

    封装/温度(℃):SOD523/-55~150


资料

厂商
ON Semiconductor

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ESD5Z3.3T1G产品

ESD5Z3.3T1G参数

  • 标准包装10
  • 类别过电压，电流，温度装置
  • 家庭TVS - 二极管
  • 系列-
  • 电压 - 反向隔离（标准值）3.3V
  • 电压 - 击穿5V
  • 功率（瓦特）158W
  • 电极标记单向
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-79，SOD-523
  • 供应商设备封装SOD-523
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称ESD5Z3.3T1GOSDKR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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