时间：2025/5/8 11:49:14
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ESD5451N-2/TR 是一款基于硅氧化物技术的单路瞬态电压抑制（TVS）二极管，专为高速信号线提供静电放电（ESD）保护而设计。其超低电容特性使其非常适合用于高速数据接口，如 USB 3.0、HDMI、DisplayPort 等场景。该器件具有快速响应时间、低泄漏电流和高浪涌能力等优点，能够有效保护敏感电子设备免受 ESD 和其他瞬态电压威胁。
这款 TVS 二极管采用 SOT-323 小型封装，支持表面贴装工艺，便于自动化生产和优化 PCB 空间利用。
工作电压：5V
反向击穿电压：6V
最大峰值脉冲电流：9.8A
箝位电压：9.8V
结电容：0.7pF
反向漏电流：1μA
响应时间：1ps
封装形式：SOT-323
1. 超低电容（0.7pF），适合高速数据线路保护。
2. 快速响应时间（1ps），能迅速抑制瞬态电压威胁。
3. 高浪涌能力（9.8A 峰值脉冲电流），确保在恶劣环境下的可靠性。
4. 小型封装（SOT-323），节省 PCB 空间。
5. 工作电压范围宽广，适用于多种应用场景。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 可靠性高，使用寿命长，适用于消费类电子产品及工业设备。
ESD5451N-2/TR 广泛应用于各种需要高速信号传输和静电防护的场景，包括但不限于以下领域：
1. 消费类电子产品：智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。
2. 高速数据接口：USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort、Thunderbolt 等。
3. 工业控制设备：传感器、PLC 接口等。
4. 通信设备：路由器、交换机、调制解调器等。
5. 汽车电子系统：车载信息娱乐系统、导航设备等。
由于其低电容和快速响应的特点，特别适合对信号完整性要求较高的场合。
ESD5450N-2/TR, ESD5452N-2/TR, PESD5V0X1BA
