您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > ESD3Z3V

ESD3Z3V 发布时间 时间:2025/3/24 10:56:03 查看 阅读:13

ESD3Z3V 是一款基于硅技术的低电容瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列,专门设计用于保护敏感的电子设备免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态电压的损害。该器件具有双向结构,能够处理正负方向的过电压事件,广泛应用于 USB、HDMI、以太网等高速数据线和信号线路的保护。
  该器件符合 IEC61000-4-2 国际标准,并能承受高达 ±30kV 的空气放电和 ±30kV 的接触放电。其超低的电容特性(典型值为 0.5pF)使得它非常适合高速数据传输接口的保护需求。

参数

工作电压:3.3V
  峰值脉冲电流:±8A
  钳位电压:15.7V
  响应时间:<1ns
  结电容:0.5pF
  封装形式:SOT-23, SOD-962

特性

1. 超低电容设计(0.5pF),对高速信号的影响极小。
  2. 快速响应时间 (<1ns),可以迅速抑制瞬态电压威胁。
  3. 高度可靠,支持多次 ESD 冲击而不损坏。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
  5. 小型化封装(如 SOT-23 和 SOD-962),适合紧凑型电路板设计。
  6. 双向保护功能,适用于双向信号线路的保护。

应用

1. 高速数据接口保护,例如 USB、HDMI、DisplayPort、MIPI 等。
  2. 移动设备中的天线端口保护。
  3. 工业控制系统的信号线路保护。
  4. 消费类电子产品中的音频/视频接口保护。
  5. 通信设备中的 RS-232、RS-485 等接口保护。

替代型号

ESD3V3M3U, SM712, PESD5V0R1B

ESD3Z3V推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

ESD3Z3V资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载