ESD3C12V01V是一款基于硅技术的低电容瞬态电压抑制器(TVS),主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)和其它瞬态过电压的影响。该器件采用单向钳位设计,能够提供快速响应时间和高浪涌电流承受能力,同时保持极低的电容特性,非常适合高速数据线和高频信号的应用场景。
此器件广泛用于消费类电子产品、工业控制设备、通信设备以及汽车电子系统中,对敏感的输入输出端口进行有效的保护。
工作电压:12V
最大反向工作电压:12.8V
击穿电压:13.4V
最大箝位电压:23.6V
峰值脉冲电流:79A
结电容:1pF
响应时间:<1ns
封装形式:SOD-323
ESD3C12V01V具有以下显著特性:
1. 极低的结电容(1pF),使其非常适用于高速数据线路的保护。
2. 快速响应时间小于1纳秒,可有效抑制瞬态电压波动。
3. 高浪涌电流承受能力,达到79A(8/20μs波形)。
4. 单向结构,特别适合于直流供电电路或单极性信号线路。
5. 小型化封装(SOD-323),节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准,并具备出色的可靠性和稳定性。
该器件适用于多种需要ESD防护的场合:
1. USB接口、HDMI接口、以太网端口等高速数据传输线路。
2. 手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子设备的内部电路保护。
3. 工业自动化设备中的传感器接口和通信模块。
4. 汽车电子系统中的CAN总线、LIN总线以及其他关键信号路径。
5. 无线通信设备中的射频前端保护。
6. 医疗设备中的精密测量与控制系统。
ESD3C12V01G
SM712
PESD5V0R1BA