时间：2025/7/1 1:10:44
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ESD36V0W200T3R是一种用于电路保护的瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，主要用于防止静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态过压事件对敏感电子设备造成损坏。该器件具有低电容特性，非常适合高速数据线和信号线的保护应用。
该芯片采用SOT-23封装形式，提供双向保护功能，并能够在不显著影响信号完整性的前提下有效吸收高能量的瞬态脉冲。
最大工作电压：36V
击穿电压：41V
峰值脉冲电流：±20A
箝位电压：54.9V
动态电阻：≤0.8Ω
结电容：≤2pF
响应时间：≤1ps
存储温度范围：-65℃至150℃
工作温度范围：-55℃至125℃
1. 提供高达±20A的峰值脉冲电流保护能力，能够有效抵御ESD冲击。
2. 极低的结电容（≤2pF），适合高速数据接口的保护。
3. 快速响应时间（≤1ps），可以迅速抑制瞬态电压波动。
4. 小型SOT-23封装设计，节省PCB空间，便于在紧凑型设计中使用。
5. 符合RoHS标准，环保无铅材料制造。
6. 工作电压范围宽广，适用于多种应用场景。
1. USB接口、HDMI接口、以太网接口等高速数据传输线的ESD保护。
2. 移动设备（如智能手机、平板电脑）中的射频信号线保护。
3. 工业控制设备中的I/O端口保护。
4. 汽车电子系统中的CAN总线和LIN总线保护。
5. 音频和视频信号线路的ESD防护。
6. 无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙）的天线端口保护。
PESD36V0W200T3R, ESD36V0W200T5G, SM712
