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ESD12V0W200T3R 发布时间 时间:2025/6/29 0:06:01 查看 阅读:5

ESD12V0W200T3R 是一款基于硅技术的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他瞬态过压事件的影响而设计。该器件具有低电容特性,非常适合高速信号线和数据接口的保护应用。它采用 SOT-23-3 封装形式,便于表面贴装工艺,广泛应用于消费电子、通信设备及工业领域。

参数

额定电压:12V
  峰值脉冲电流:20A
  钳位电压:24.9V
  动态电阻:0.3Ω
  结电容:1.5pF
  响应时间:1ps
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

该器件具备超低电容设计,能够有效保护高频信号线路。其极快的响应速度可以迅速将瞬态过压引导到地,从而避免后端电路受到损害。
  ESD12V0W200T3R 的高可靠性来源于稳定的材料性能和严格的制造工艺控制,确保在恶劣环境下的长期使用。
  此外,这款 TVS 具备优异的重复耐久性,在多次承受浪涌电流冲击后仍能保持良好的电气性能。

应用

该芯片主要应用于各种需要 ESD 和瞬态过压保护的场景,例如 USB 接口、HDMI 接口、以太网端口等高速数据传输线路。
  同时适用于手机、平板电脑、笔记本电脑、网络交换机以及其他便携式电子设备中的关键节点防护。
  在工业自动化领域,也可以用于传感器输入输出端口的保护。

替代型号

PESD12VA4ULC,SMBJ12A,ESD12V0W200FTA

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