时间：2025/7/9 9:06:38
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ESD11N5.0ST5G是一款基于硅雪崩二极管技术的静电保护器件，专为高速信号线和电源线提供瞬态电压抑制（TVS）保护而设计。该器件具有低电容、快速响应时间和高浪涌电流能力等特点，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域中的电路保护。
其封装形式为SOD-323（SC-89C），适合表面贴装工艺，能够有效保护敏感的电子元器件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态过电压事件的影响。
型号：ESD11N5.0ST5G
工作电压：5V
最大反向工作电压：5.8V
击穿电压：6V
峰值脉冲电流：7A
箝位电压：13.4V
结电容：0.4pF
响应时间：1ps
封装：SOD-323（SC-89C）
ESD11N5.0ST5G采用先进的硅雪崩二极管技术，具备以下特点：
1. 极低的结电容（0.4pF），非常适合高速数据线的保护；
2. 快速响应时间（1ps），可以迅速抑制瞬态过电压；
3. 高浪涌电流承受能力（7A），确保在恶劣环境下的可靠保护；
4. 小型化封装（SOD-323），易于集成到紧凑型设计中；
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求；
6. 良好的重复使用性能，适用于需要频繁保护的应用场景。
该器件适用于各种需要静电保护的电子系统，具体应用包括：
1. USB接口、HDMI接口、以太网接口等高速数据传输线路的ESD保护；
2. 手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子设备的电路保护；
3. 工业自动化设备中的控制信号线保护；
4. 汽车电子系统的电源和信号线保护；
5. 通信基站和网络设备的接口保护。
ESD11N5.0, SM712, PESD5V0H1BA
