晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
　　最大功耗（Ptot）：200 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　增益（hFE）：110 至 800（根据档位不同）
　　频率响应（fT）：100 MHz
　　饱和压降（Vce_sat）：最大 0.2 V（在 Ic = 100 mA，Ib = 5 mA）

ESAD33N 是一款高可靠性的通用 NPN 晶体管，具有优异的频率响应和增益稳定性。其 hFE 值根据不同的等级可从 110 到 800 不等，确保了在各种放大电路中的适应性。此外，该晶体管的过渡频率（fT）达到 100 MHz，使其在射频和中频放大应用中表现出色。
　　ESAD33N 的 SOT-23 封装不仅体积小巧，便于在高密度 PCB 布局中使用，而且具备良好的热稳定性和机械强度。其最大集电极电流为 100 mA，集电极-发射极电压为 30 V，适用于多种低功率开关和放大电路。
　　该晶体管还具有较低的饱和压降（Vce_sat），在高电流工作状态下能够减少功耗，提高电路效率。此外，其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种严苛环境条件下的电子设备。

ESAD33N 广泛应用于低功率放大器、射频（RF）电路、音频放大器、逻辑电路、驱动电路、电源管理模块、信号开关电路、传感器接口电路、消费类电子产品、便携式设备、工业控制设备以及通信设备等场景。由于其优异的高频响应和稳定的增益性能，ESAD33N 特别适合用于射频信号放大和调制解调电路。在音频系统中，它可用于前置放大器或驱动放大器，提供清晰的声音信号放大。此外，在逻辑电路和微控制器接口电路中，ESAD33N 可作为开关元件，控制外部设备的运行。

2N3904, BC547, PN2222A