ES6U2T2R 时间：2025/11/8 1:31:58 阅读：7

ES6U2T2R是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装超快恢复整流二极管。该器件采用SMA（DO-214AC）封装，设计用于高频开关电源、DC-DC转换器和其他需要快速开关特性的应用场合。ES6U2T2R的命名遵循行业标准：ES代表超快恢复二极管系列，6表示额定电流为6A，U表示反向电压等级，2R则代表其重复峰值反向电压（VRRM）为200V。该二极管具有低正向压降和软恢复特性，有助于减少电磁干扰（EMI），提高系统效率。它适用于消费类电子产品、工业控制设备以及通信电源模块中。作为表面贴装器件，ES6U2T2R支持自动化贴片工艺，适合现代高密度PCB布局设计。此外，该产品符合RoHS指令要求，无铅且环保，可在多种环境条件下稳定工作。其封装形式便于散热，并可通过PCB铜箔进行热管理，在不使用额外散热器的情况下也能有效传导热量。

参数

类型：超快恢复二极管
　　配置：单个
　　最大重复反向电压 VRRM：200V
　　最大直流阻断电压 VR：200V
　　平均整流电流 IO (半波, 60Hz, Ta≤75°C)：6A
　　峰值非重复浪涌电流 IFSM (8.3ms 半正弦波)：200A
　　正向压降 VF @ IF=6A, TJ=25°C：1.55V
　　反向漏电流 IR @ VR=200V, TJ=25°C：1.0μA
　　反向恢复时间 trr @ IF=3.0A, dI/dt=100A/μs：35ns
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围 Tstg：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SMA (DO-214AC)
　　安装类型：表面贴装
　　极性：阳极到阴极方向标记在器件顶部色环一侧

特性

ES6U2T2R具备优异的电气性能和可靠性，特别适用于高频开关电源中的输出整流环节。其核心优势之一是超快的反向恢复时间（trr = 35ns），这显著降低了开关损耗，提升了整体电源转换效率。在硬开关拓扑如反激式、正激式或LLC谐振变换器中，快速恢复特性可有效抑制电压尖峰和振荡，从而降低对EMI滤波电路的要求。该器件还表现出“软恢复”行为，意味着在反向恢复过程中电流下降较为平缓，不会产生剧烈的dI/dt变化，进一步减少了高频噪声的生成，有利于满足严格的电磁兼容性标准。
　　另一个关键特性是其低正向导通压降（典型值1.55V @ 6A, 25°C）。较低的VF直接转化为更少的导通损耗，尤其在大电流工况下能显著提升能效并减少热积累。这对于紧凑型电源设计至关重要，因为它允许更高的功率密度而无需增加散热面积。同时，该器件能够在高达+150°C的结温下持续运行，展示了出色的热稳定性与长期可靠性。结合SMA封装良好的热传导能力，即使在恶劣工作环境中也能保持稳定性能。
　　ES6U2T2R采用无铅纯锡电镀端子，兼容主流回流焊工艺，确保焊接质量一致性和生产良率。其机械结构坚固，抗热冲击能力强，适用于自动化装配线的大批量生产。此外，该器件通过了AEC-Q101等汽车级可靠性测试的部分项目评估，虽未明确标注为车规级，但在工业级应用中表现卓越。总体而言，ES6U2T2R凭借其高速、高效、高可靠的特点，成为现代开关电源设计中理想的整流解决方案之一。

应用

ES6U2T2R广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。最常见的应用场景包括开关模式电源（SMPS），尤其是在AC-DC适配器、充电器和服务器电源中作为次级侧同步整流或自由轮续流二极管使用。由于其35ns的超快恢复时间，该器件非常适合高频操作环境，例如在数十kHz至数MHz频率范围内的DC-DC转换器中，能够有效减少开关节点的电压过冲和能量损耗。在反激式电源拓扑中，它常被用作输出整流二极管，帮助实现更高的转换效率和更低的温升。
　　此外，ES6U2T2R也适用于逆变器电路、UPS不间断电源系统以及光伏微逆变器等新能源领域。在这些系统中，快速恢复能力和高耐压特性对于维持系统稳定性和提升动态响应至关重要。在电机驱动和工业控制系统中，该二极管可用于钳位保护电路或续流路径，防止感性负载产生的反电动势损坏主控开关元件（如MOSFET或IGBT）。
　　消费类电子产品如笔记本电脑、液晶电视、机顶盒等内部电源模块同样大量采用此类SMA封装的超快恢复二极管。其小型化表面贴装外形节省了PCB空间，同时支持自动化生产流程。在LED照明驱动电源中，ES6U2T2R可用于隔离型反激拓扑的次级整流，提供稳定的直流输出。总之，凡是在高频率、高效率、小体积要求下需要高性能整流功能的应用场景，ES6U2T2R都是一个可靠且经济的选择。