最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　最大平均整流电流（IO）：3.0A
　　正向压降（VF）：最大1.05V（在3.0A时）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：100A
　　反向漏电流（IR）：最大50μA（在60V时）
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　存储温度范围：-55℃ 至 +150℃

ES3J-TR 的核心优势在于其低正向压降和快速恢复特性，有助于提高电源转换效率并降低功率损耗。其SMB封装设计具备良好的散热性能，能够在较高电流下稳定工作。
　　该器件的正向压降（VF）在额定电流下仅为1.05V，显著低于传统硅整流二极管，从而减少导通损耗，提升系统能效。此外，其快速恢复时间几乎为零，适合用于高频开关应用，减少开关过程中的能量损耗。
　　ES3J-TR 还具备较高的浪涌电流承受能力（IFSM高达100A），能够应对电源启动或负载突变时的瞬态冲击，增强了系统的可靠性和稳定性。其反向漏电流（IR）在最大反向电压下控制在50μA以内，确保在高温工作条件下仍具有良好的反向阻断能力。
　　整体来看，ES3J-TR 是一款高性能的整流二极管，适用于对效率和空间要求较高的电源系统。

ES3J-TR 广泛应用于各类电力电子设备中，尤其是在需要高效、高频率工作的场合。其主要应用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、逆变器、UPS不间断电源系统、电池充电器、电机驱动器以及各种电源管理系统。此外，由于其优异的热性能和可靠性，该器件也常用于工业自动化设备、通信设备、消费类电子产品和汽车电子系统中。

SR360, SB360, MBR360, ES3G-TR, ES3K-TR