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ES3DB 发布时间 时间:2025/7/5 5:39:41 查看 阅读:45

ES3DB是一款高性能的存储管理芯片,主要用于嵌入式系统中的数据存储和管理。该芯片集成了多种功能模块,包括闪存控制器、错误校正码(ECC)引擎以及数据加密单元,能够有效提升数据存储的可靠性和安全性。它广泛应用于工业控制、消费电子以及汽车电子等领域。

参数

工作电压:1.8V-3.6V
  接口类型:SPI、I2C、Parallel
  存储容量:最大支持2GB
  工作温度:-40℃至+8LQFP48

特性

ES3DB具有高集成度的特点,内置了强大的闪存控制器,可以自动处理闪存坏块管理和磨损均衡,从而延长闪存的使用寿命。
  其ECC引擎能够检测并纠正存储过程中可能出现的位错误,确保数据完整性。
  此外,ES3DB还提供硬件级别的AES加密功能,用户可以通过简单的配置启用数据加密,保护敏感信息不被非法访问。
  在功耗方面,ES3DB设计了多种低功耗模式,能够在设备待机或休眠时显著降低能耗,非常适合电池供电的应用场景。

应用

ES3DB适用于需要高效数据存储和管理的场景,例如智能家居设备的数据记录模块、工业自动化系统的日志存储单元以及车载信息娱乐系统的配置保存部分。
  它还可以用作物联网设备中的本地存储解决方案,为传感器数据的临时缓存提供支持。
  另外,在医疗电子领域,ES3DB可以用作便携式健康监测设备的数据存储芯片,满足对数据可靠性和安全性的严格要求。

替代型号

ES3DC, ES3DE

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ES3DB参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格6,000 : ¥1.43814卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)3A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1 V @ 3 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)35 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏10 μA @ 200 V
  • 不同?Vr、F 时电容46pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-214AA,SMB
  • 供应商器件封装DO-214AA(SMB)
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C