最大重复反向电压：30V
　　最大正向平均整流电流：3A
　　正向压降（IF=3A时）：0.45V至0.55V
　　最大反向漏电流（VR=30V时）：100μA
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOD-123

ES3DB-TR的核心特性之一是其低正向压降，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。在3A的正向电流下，正向压降通常在0.45V至0.55V之间，显著低于传统硅整流二极管，从而降低了导通损耗。
　　该器件还具有快速开关特性，反向恢复时间极短，使其非常适合用于高频整流应用。这种快速响应能力有助于减少开关过程中的能量损耗，提高电路的动态响应。
　　ES3DB-TR采用SOD-123封装，具有较小的体积和良好的散热性能。这种封装方式不仅节省了PCB空间，还提高了器件在高电流条件下的可靠性。此外，该封装符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。
　　该二极管能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作，适应各种恶劣的环境条件。其高热稳定性和良好的热阻性能确保了在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。

ES3DB-TR广泛应用于各类电源管理系统中，特别是在需要高效能和小尺寸解决方案的场合。常见的应用包括AC/DC和DC/DC转换器、电池充电器、负载开关、电源适配器以及各种便携式电子设备中的整流和续流电路。
　　在电源管理电路中，ES3DB-TR可用于优化效率，特别是在低电压、高电流的系统中，其低正向压降特性有助于减少能量损耗，提高整体能效。
　　在电池充电器应用中，该器件可作为主整流元件，确保高效、稳定的充电过程，同时减少发热和能量浪费。
　　由于其快速开关特性，ES3DB-TR也常用于高频整流电路，如开关电源（SMPS）和LED驱动器中，以实现更高的开关频率和更小的外围元件尺寸。

MBR320, SR303, B540C-13-F