型号：ES3DB-13-F
　　制造商：Diodes Incorporated
　　封装/外壳：SMA (DO-214AC)
　　二极管类型：肖特基势垒二极管
　　最大重复反向电压 (VRRM)：200V
　　最大直流阻断电压 (VR)：200V
　　最大有效值电压 (VRMS)：140V
　　最大平均整流电流 (IO)：3.0A（在TC=75°C时）
　　峰值正向浪涌电流 (IFSM)：80A（单个半正弦波，8.3ms）
　　最大正向电压降 (VF)：900mV（在IF=3.0A，TC=25°C时）
　　最大反向漏电流 (IR)：200μA（在VR=200V，TC=25°C时）；1.0mA（在VR=200V，TC=125°C时）
　　最大反向恢复时间 (trr)：典型值为4ns
　　工作结温范围 (TJ)：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围 (TSTG)：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（结到外壳）JC：约10°C/W
　　安装方式：表面贴装

ES3DB-13-F具备出色的电气性能和热稳定性，是高性能电源系统中的关键组件之一。其核心优势在于采用了优化的肖特基势垒结构，在保持较高反向耐压的同时实现了较低的正向导通压降。在3A电流下，其典型正向压降仅为900mV，显著低于传统快恢复或超快恢复二极管，从而大幅降低了导通损耗，提升了整体电源转换效率。这对于高频率工作的开关电源尤为重要，因为在这种应用中，二极管的导通时间占比相对较大，降低VF可以直接减少能量损耗并减轻散热负担。此外，该器件具有极短的反向恢复时间（trr典型值为4ns），几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），因此在高频切换过程中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，避免了由此引发的电磁干扰（EMI）问题和额外的开关损耗。这一特性使其非常适合用于高效率的同步整流拓扑或作为副边整流二极管。
　　该二极管采用SMA封装，具有较小的物理尺寸（约4.3mm x 2.4mm x 2.1mm），便于实现紧凑型PCB布局，并支持自动化贴片生产流程。其良好的热传导性能通过低热阻设计得以体现，结到外壳的热阻约为10°C/W，有助于将内部产生的热量迅速传递至PCB，提升长期运行的可靠性。器件的工作结温可达+150°C，表明其可在高温工业环境中稳定运行。同时，它具备优良的抗浪涌能力，可承受高达80A的峰值浪涌电流（8.3ms半正弦波），增强了在瞬态过载条件下的鲁棒性。ES3DB-13-F还通过了多项国际环保认证，属于无铅产品，符合RoHS指令要求，适用于消费类电子、通信设备、工业控制和汽车电子等多种领域。

ES3DB-13-F主要应用于需要高效能、小体积和高可靠性的电源系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流环节，特别是在离线式反激、正激和LLC谐振变换器中作为次级侧整流元件。由于其低正向压降和快速响应特性，能够有效提高转换效率并减少发热，适用于笔记本适配器、手机充电器、LED驱动电源等便携式或高密度电源产品。该器件也常用于DC-DC转换器模块中，尤其是在非隔离型升降压或降压拓扑中承担续流功能。此外，在逆变器电路中，ES3DB-13-F可用于防止感应负载产生的反向电动势损坏主开关器件，起到箝位和保护作用。在电机驱动、继电器控制和感性负载切换等应用场景中，它可作为自由轮二极管使用，确保电流路径连续，防止电压突变造成系统故障。该二极管还可用于电池管理系统中的极性反接保护电路，防止因错误连接导致设备损坏。凭借其宽泛的工作温度范围和高可靠性，ES3DB-13-F也被广泛应用于工业自动化设备、网络通信电源单元、家用电器电源板以及部分车载电子系统的辅助电源设计中。

SR3L200A-13-F
　　MBR3U200T1G
　　B530CB-13-F