最大重复峰值反向电压（VRRM）：200 V
　　最大平均整流电流（IO）：3.0 A
　　正向压降（VF）：0.55 V（在3 A时）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：100 A
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SMA (DO-214AC)

ES3D-TR 的核心特性是其低正向压降（VF），这有助于减少导通损耗并提高电源转换效率。其快速恢复时间（trr）极短，通常在纳秒级别，因此非常适合用于高频开关应用。此外，该器件具备良好的热稳定性和高浪涌电流承受能力，能够在极端条件下保持稳定运行。ES3D-TR 采用无铅封装，符合 RoHS 环保标准，适用于现代绿色电子产品的设计需求。
　　在结构上，ES3D-TR 采用肖特基二极管的核心结构，即金属-半导体结，相比传统硅二极管具有更低的导通压降和更快的开关速度。这种结构使得器件在低压、高频应用中表现优异，例如在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器和电池充电器等系统中发挥重要作用。此外，其SMA封装形式支持自动贴片工艺，提高了生产效率并节省了PCB空间。
　　从电气特性来看，ES3D-TR 的最大重复峰值反向电压为200V，能够满足大多数中高压应用的需求；最大平均整流电流为3A，适用于中等功率级别的整流任务。其正向压降在3A电流下仅为0.55V，显著低于普通硅整流二极管，从而减少了能量损耗并降低了温升。同时，其反向漏电流（IR）在额定电压下保持在较低水平，确保了器件在高温环境下的稳定运行。

ES3D-TR 主要用于各种电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电池管理系统和逆变器等。此外，它也常用于工业控制设备、通信电源、消费类电子产品和汽车电子系统中，作为整流、续流和反向电压保护器件。其紧凑的封装和高性能特性使其特别适用于空间受限但要求高效能的电路设计。

SR302, SB320, ES3G, MBR3020