器件类型：肖特基势垒二极管
　　是否为整流二极管：是
　　配置：单体
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　最大平均整流电流：3 A
　　峰值反向重复电压：100 V
　　最大正向压降：850 mV @ 3 A, 150°C
　　最大反向漏电流：2 mA @ 100 V, 125°C
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　安装类型：表面贴装型
　　反向恢复时间：典型值 < 5 ns
　　结温：最高150°C
　　最大功率耗散：约75 W（基于热阻条件）
　　热阻：RθJA ≈ 50°C/W（依PCB布局而定）
　　峰值浪涌电流：80 A @ 8.3 ms 半正弦波

ES3CB-13-F作为一款高性能的表面贴装肖特基二极管，其核心优势在于低正向电压降与高电流承载能力的结合。在3A的工作电流下，其正向压降典型值仅为850mV，显著低于传统硅整流二极管，从而大幅减少了导通损耗，提升了电源系统的转换效率。这种低VF特性特别适用于电池供电设备、便携式电子装置以及对能效要求严格的绿色能源系统。
　　该器件采用先进的芯片工艺和封装技术，确保了优异的热传导性能。SMA封装具有较大的焊盘接触面积，有利于热量从芯片传递到PCB，进而通过散热路径散发出去，避免局部过热导致的性能下降或失效。其热阻RθJA约为50°C/W，具体数值取决于PCB的铜箔面积和布局设计，在良好散热条件下可支持持续3A电流运行。
　　ES3CB-13-F具备出色的动态响应能力，反向恢复时间极短，通常小于5ns。这一特性使得它在高频开关电路中表现优异，能够有效抑制反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰，提升系统稳定性。同时，由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少子存储效应，因此在关断过程中几乎不产生反向恢复电荷（Qrr），进一步降低了开关损耗。
　　该器件还具备较强的抗浪涌能力，可承受高达80A的峰值浪涌电流（8.3ms半正弦波），适用于可能遭遇瞬态过流的应用场景，如电源启动、雷击感应或负载突变等情况。其反向漏电流在高温环境下仍保持较低水平，典型值为2mA@100V、125°C，虽高于普通PN结二极管，但在肖特基器件中属于合理范围，且可通过优化电路设计加以管理。
　　ES3CB-13-F符合工业级可靠性标准，经过严格的高温反偏（HTRB）、温度循环和高压锅蒸煮（PCT）等测试，确保长期使用的稳定性与耐久性。其无铅、无卤素的设计满足现代环保法规要求，适用于出口型电子产品和高端消费类设备。

ES3CB-13-F广泛应用于多种电力电子领域，尤其适用于需要高效能、小体积和高可靠性的场合。常见应用包括开关模式电源（SMPS），特别是在反激式、正激式和LLC谐振变换器中用作输出整流二极管；DC/DC转换模块中用于低压大电流输出端的同步整流替代方案或自由轮续流路径；逆变电源和UPS系统中的桥式整流或反馈回路保护元件。
　　在消费类电子产品中，该器件可用于笔记本电脑适配器、手机充电器、LED驱动电源和智能家居控制板等内部电源管理单元。其表面贴装形式便于实现自动化生产和回流焊接，提高生产效率和良品率。
　　工业控制设备中也常采用ES3CB-13-F，例如PLC电源模块、传感器供电电路、电机驱动器中的续流保护以及各类嵌入式控制器的电源前端极性保护电路。其宽工作温度范围和高可靠性保障了在严苛工业环境下的稳定运行。
　　此外，该器件还可用于太阳能微逆变器、电动汽车车载充电机（OBC）辅助电源、通信基站电源模块以及医疗设备电源系统等领域。在这些应用中，高效的能量转换和可靠的长期运行至关重要，ES3CB-13-F凭借其低损耗和高耐用性成为理想选择。

SR3M100SP5-13-F
　　MBR3H100TNSG
　　VS-3EM100FN-M3