时间：2025/12/26 3:47:22
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ES3BB-13-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用SMA（DO-214AC）封装。该器件专为高效率、高频整流应用设计，具有低正向电压降和快速开关特性，适用于多种电源管理场景。其命名规则中，“ES”代表肖特基二极管系列，“3B”表示额定电流为3A，“B”可能指代单个二极管配置，“-13-F”通常表示卷带包装形式（Tape and Reel），适合自动化贴片生产。该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-Free）和符合AEC-Q101汽车级可靠性认证的版本可选，因此广泛应用于消费电子、工业控制以及车载系统等领域。ES3BB-13-F的最大重复反向电压（VRRM）为100V，峰值浪涌电流可达75A，能够在高温环境下稳定工作，结温范围为-55°C至+125°C，表现出良好的热稳定性与长期可靠性。
类型：肖特基二极管
配置：单个
最大重复反向电压（VRRM）：100V
平均整流电流（IO）：3A
正向压降（VF）：典型值0.875V（在3A时）
最大反向漏电流（IR）：250μA（在100V, 25°C）
工作结温范围：-55°C 至 +125°C
封装/外壳：SMA（DO-214AC）
安装类型：表面贴装（SMD）
峰值浪涌电流（IFSM）：75A（单次8.3ms半正弦波）
热阻（RθJA）：约60°C/W（依PCB布局而定）
反向恢复时间（trr）：≤ 15ns
制造商：Diodes Incorporated
产品系列：ES3B
ES3BB-13-F的核心优势在于其采用铂掺杂工艺制造的肖特基势垒结构，这种技术显著提升了器件在高温条件下的稳定性与可靠性，有效抑制了传统肖特基二极管常见的热失控问题。由于使用了先进的金属半导体结技术，该二极管实现了极低的正向导通压降，在3A电流下典型值仅为0.875V，相比普通PN结二极管可大幅降低功率损耗，提高整体系统能效。此外，其超快反向恢复时间（trr ≤ 15ns）使其非常适合用于高频开关电源拓扑结构，如反激式转换器、正激变换器及DC-DC模块中作为输出整流或续流二极管。该器件具备优异的浪涌电流承受能力，高达75A的峰值电流耐受能力确保其在瞬态负载变化或开机冲击下仍能安全运行。SMA封装具有较小的体积和良好的散热性能，便于在紧凑型PCB设计中实现高密度布局。同时，该封装支持回流焊工艺，满足现代自动化生产线的需求。器件还具备较低的反向漏电流，在常温下最大为250μA，尽管随着温度升高会有所增加，但在正常工作范围内仍保持可控水平。ES3BB-13-F通过严格的AEC-Q101认证选项可用于汽车电子系统，例如车载充电器、LED照明驱动和电机控制电路，展现出出色的抗振动、耐湿性和长期可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +125°C）也使其适用于严苛环境下的工业设备。综合来看，ES3BB-13-F是一款高性能、高可靠性的表面贴装肖特基二极管，兼顾效率、速度与耐用性，是现代电源设计中的理想选择。
ES3BB-13-F广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电力电子系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作次级侧整流元件，特别是在12V至48V输出的AC-DC适配器和开放式电源中表现优异。由于其低正向压降特性，能够显著减少传导损耗，提升转换效率，有助于满足能源之星等能效标准。在DC-DC转换器中，无论是隔离型还是非隔离型拓扑，该器件均可作为同步整流的替代方案或用于防止反向电流流动的防倒灌二极管。在便携式电子产品如笔记本电脑、平板充电器和USB-PD电源模块中，ES3BB-13-F凭借其小型化SMA封装和高电流处理能力，成为理想的续流或箝位二极管。在光伏逆变器系统中，可用于组串旁路保护，防止热斑效应导致组件损坏。此外，该器件也适用于LED照明驱动电源，尤其是在恒流源输出端进行续流保护，确保电流连续性和稳定性。在汽车电子领域，包括车身控制模块、车载信息娱乐系统和辅助电源单元中，其AEC-Q101兼容版本可提供更高的可靠性保障。工业控制系统中的PLC电源、传感器供电模块以及电机驱动电路中的自由轮放电路径也常采用此类高速整流二极管。另外，由于其良好的瞬态响应能力，还可用于噪声抑制、电压钳位和瞬态电压吸收电路中，起到保护敏感IC的作用。总之，ES3BB-13-F凭借其电气性能与封装优势，适用于从消费类到工业级再到部分车规级的多样化应用场景。
SB3100HE3/54
MBR340
VS-3ETH0100-M3
