类型：P沟道
　　极性：P-Channel
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-1.9A（@ VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.8A
　　导通电阻（RDS(on)）：55mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：75mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：95mΩ（@ VGS = -1.8V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.4V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：230pF（@ VDS = 10V, VGS = 0V）
　　开启时间（Ton）：约15ns
　　关断时间（Toff）：约25ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

ES325A的核心特性之一是其低阈值电压与逻辑兼容性，使其能够在低至1.8V的栅极驱动电压下可靠开启，这使得它非常适合用于由低压微控制器或数字逻辑电路直接控制的开关应用。其阈值电压范围通常在-0.4V至-1.0V之间，确保在轻载和深睡眠模式下仍能保持良好的导通状态，从而减少静态功耗。此外，由于采用先进的沟槽型MOSFET工艺，ES325A在保持小尺寸的同时实现了较低的导通电阻，典型值在55mΩ左右（当VGS=-4.5V时），即使在-2.5V或更低的栅压下也能维持相对较低的RDS(on)，显著降低了导通损耗，提升了系统能效。
　　另一个重要特性是其出色的开关速度和动态响应能力。ES325A具有较低的输入电容（Ciss约为230pF）和输出电容（Coss约为180pF），这有助于减少栅极驱动功率需求，并加快开关转换过程，降低开关损耗。这对于高频开关应用（如DC-DC转换器中的同步整流或负载切换）尤为重要。同时，快速的开启和关断时间（Ton约15ns，Toff约25ns）保证了精确的时序控制，避免了在切换过程中出现瞬态短路或电压跌落等问题。
　　热稳定性与可靠性也是ES325A的一大亮点。SOT-23封装虽然体积小巧，但通过优化芯片布局和封装材料，能够在有限的空间内有效散热，支持持续1.9A的漏极电流。其最大工作结温可达+150°C，具备良好的过温耐受能力，适用于工业级和消费类电子产品的严苛环境。此外，器件内部集成了体二极管，可用于提供反向电流路径，在某些拓扑中可省去外部分立二极管，进一步简化电路设计。综合来看，ES325A凭借其低功耗、高效率、小尺寸和高可靠性，成为众多低电压电源管理方案中的优选器件。

ES325A广泛应用于各类需要高效电源控制和低功耗管理的电子系统中。最常见的应用场景之一是作为高端负载开关，用于控制电源对特定模块的供电，例如在智能手机、平板电脑或物联网设备中启用或禁用传感器、显示屏背光或无线通信模块。在这种配置下，P沟道MOSFET连接在电源正极与负载之间，通过微控制器的GPIO引脚控制栅极电平，实现“软启动”和“零静态功耗”操作，有效延长电池寿命。
　　此外，ES325A也常用于电池供电系统的电源路径管理，例如在双电源（如USB供电与电池供电）切换电路中，作为理想二极管使用，防止电流倒灌并自动选择更高电压的电源为系统供电。这种应用充分利用了其低阈值电压和低导通电阻的优势，相比传统肖特基二极管可大幅降低压降和发热，提高整体能效。
　　在DC-DC转换器中，ES325A可作为同步整流管使用，尤其是在降压（Buck）变换器的上管位置，配合N沟道MOSFET下管实现高效的能量转换。尽管P沟道器件通常不如N沟道高效，但在某些简化设计中，使用P沟道上管可以省去复杂的自举电路，降低系统成本和设计复杂度。
　　其他应用还包括热插拔保护电路、电机驱动中的相位控制、LED调光开关以及各种模拟开关电路。由于其SOT-23封装的小型化特点，特别适合空间受限的便携式设备和高密度PCB布局。总体而言，ES325A适用于所有要求高集成度、低功耗和高可靠性的现代电子系统。

Si2301DS
　　AON7406
　　FDMC86263
　　DMG2301U