类型：双肖特基势垒二极管
　　配置：双二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　平均整流电流（IO）：2A（每条支路）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：60A（8.3ms单半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：500mV @ 1A（典型值），650mV @ 2A（最大值）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 25°C，1.0mA @ 100°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SMA（DO-214AC）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　热阻（RθJA）：约70°C/W（依PCB布局而定）
　　热阻（RθJC）：约25°C/W

ES2B-13-F的核心优势在于其优异的电学性能与紧凑的封装设计相结合，使其成为高频开关电源中的理想选择。
　　首先，该器件具有非常低的正向导通压降（VF），在1A电流下典型值仅为500mV，显著低于传统PN结二极管（通常为700mV以上）。这一特性直接减少了导通损耗，提高了电源系统的转换效率，尤其在低压大电流输出的应用场景中效果更为明显。此外，由于采用肖特基势垒结构，ES2B-13-F不具备少数载流子存储效应，因此拥有极快的反向恢复时间（trr < 5ns），几乎可以视为“零反向恢复”，避免了因反向恢复电荷引起的开关损耗和电磁干扰问题，这对于工作频率高达数百kHz甚至MHz级别的DC-DC变换器至关重要。
　　其次，该器件具备良好的热稳定性与可靠性。尽管肖特基二极管普遍存在的问题是高温下反向漏电流较大，但ES2B-13-F通过优化金属-半导体接触界面及引入铂掺杂工艺，有效抑制了高温时的漏电流增长趋势，在125°C结温条件下仍能保持可接受的漏电流水平（不超过1.0mA）。这使得它能够在恶劣的热环境中长期稳定运行，适用于车载电子、工业控制等对可靠性要求较高的领域。
　　再者，SMA封装提供了良好的散热能力与机械强度，同时支持自动化贴片生产，有助于提高组装效率并降低成本。该封装尺寸小巧（约4.3mm x 2.8mm x 2.3mm），适合空间受限的设计，如移动设备电源模块、LED驱动板等。
　　最后，ES2B-13-F通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），表明其满足汽车级元器件的部分应力测试标准，增强了其在汽车电子中的适用性。综合来看，ES2B-13-F是一款兼顾高性能、小型化与可靠性的表面贴装肖特基二极管产品。

ES2B-13-F因其低正向压降、快速响应和双二极管结构，被广泛应用于多种电力电子与信号处理电路中。
　　在开关电源领域，它是反激式、正激式及同步整流拓扑中次级侧整流的理想选择，特别是在输出电压低于5V的低压大电流场合，如笔记本电脑适配器、手机充电器、USB PD电源模块等，使用该器件可显著减少整流损耗，提高整体能效。此外，在DC-DC降压或升压转换器中，常将其用作续流二极管（Freewheeling Diode）或自举二极管，利用其快速关断特性防止开关管关断瞬间产生的电压尖峰造成损坏，并提升瞬态响应速度。
　　在逆变器与电机驱动电路中，ES2B-13-F可用于感应负载的能量回馈路径，作为箝位或保护二极管，吸收感性负载断开时产生的反电动势，从而保护功率MOSFET或IGBT不受过压冲击。
　　在电池供电设备中，例如便携式医疗仪器、无线传感器节点或智能穿戴设备，该器件有助于延长电池续航时间，因其低功耗特性减少了不必要的能量浪费。
　　此外，由于其双二极管结构，ES2B-13-F也可用于构建全波整流桥的一半单元，配合外部另一个二极管完成桥式整流功能，节省PCB空间并简化布线。
　　在通信电源、服务器电源模块、LED照明驱动电源等领域，该器件同样表现出色，适用于各种需要高效、紧凑型整流解决方案的场景。

SS24, SB240, MBR240, B340B-13-F, PMEG2020EA, SDM240