类型：整流二极管
　　最大正向电流：1A
　　最大反向电压：600V
　　正向压降：1.1V（最大值）
　　反向漏电流：5μA（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DO-214AA（也称为 SMC）
　　安装方式：表面贴装

ES1JP 采用了先进的硅整流技术，确保了在高反向电压下仍能保持良好的导通性能。其最大反向电压达到 600V，使得该器件能够承受较高的电压应力，适用于各种电源整流场合。
　　该二极管的正向压降最大为 1.1V，在 1A 正向电流下表现出良好的导通性能，有助于降低功率损耗，提高整体效率。同时，ES1JP 的反向漏电流非常低，最大仅为 5μA，这在高温环境下仍能保持稳定的性能，避免了不必要的能量损耗和潜在的热失控问题。
　　封装方面，ES1JP 使用的是 DO-214AA（也称为 SMC）封装，这种封装形式具有良好的机械强度和热稳定性，适合表面贴装工艺，便于自动化生产和组装。此外，该封装还具备一定的散热能力，有助于提高器件在较高工作电流下的可靠性。
　　ES1JP 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，能够在极端温度条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。

ES1JP 主要用于各类电源整流电路中，如开关电源、充电器、适配器以及 DC/DC 转换器等。由于其较高的反向耐压能力，该器件也常用于交流到直流的转换电路中，作为主整流元件使用。
　　在消费类电子产品中，ES1JP 可以用于为小型电源模块提供整流功能，例如 LED 照明驱动电路、便携式电子设备的充电电路等。在工业控制领域，该二极管可用于 PLC（可编程逻辑控制器）、传感器模块以及工业自动化设备中的电源管理电路。
　　此外，ES1JP 还适用于需要高可靠性和稳定性的汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统（BMS）以及车载娱乐系统的电源模块。其良好的温度适应性和较低的漏电流特性使其在高温环境下仍能保持稳定的性能。

ES1G, ES1J, HER1JP