时间：2025/6/5 21:35:15
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ES1J-F 是一款基于硅雪崩二极管 (Si Avalanche Diode) 技术的静电放电 (ESD) 保护器件，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制系统的瞬态电压抑制。该元件具有低电容特性，能够有效保护高速数据线免受 ESD 和其他瞬态电压威胁。它符合 IEC61000-4-2 国际标准，支持高达 ±30kV 的接触放电保护。
工作电压：5V
峰值脉冲电流：15A
电容：0.3pF
响应时间：<1ns
最大工作温度：-55℃ 至 +150℃
ES1J-F 具备超低电容设计，非常适合高速信号线路保护。其快速响应时间 (<1ns) 可以确保在瞬态事件发生时及时钳位电压，从而保护后端电路。
此外，该器件采用 SOD-323 封装，体积小巧，便于 PCB 布局设计。它还具备出色的重复耐久性，在多次 ESD 冲击后仍能保持性能稳定。
ES1J-F 支持单向或双向配置，用户可以根据具体应用场景选择合适的连接方式。双向配置适用于差分信号线路保护，而单向配置更适合单端信号线路。
ES1J-F 广泛应用于 USB、HDMI、DisplayPort、以太网等高速接口的 ESD 保护。
此外，它也适合手机、平板电脑、笔记本电脑、路由器以及其他便携式电子设备中的敏感电路防护。
在工业领域，ES1J-F 还可用于传感器接口、控制信号线路以及通信模块的过压保护。
ESD1J-F, PESD5V0S1B
