您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > ES1J-F

ES1J-F 发布时间 时间:2025/6/5 21:35:15 查看 阅读:23

ES1J-F 是一款基于硅雪崩二极管 (Si Avalanche Diode) 技术的静电放电 (ESD) 保护器件,广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制系统的瞬态电压抑制。该元件具有低电容特性,能够有效保护高速数据线免受 ESD 和其他瞬态电压威胁。它符合 IEC61000-4-2 国际标准,支持高达 ±30kV 的接触放电保护。

参数

工作电压:5V
  峰值脉冲电流:15A
  电容:0.3pF
  响应时间:<1ns
  最大工作温度:-55℃ 至 +150℃

特性

ES1J-F 具备超低电容设计,非常适合高速信号线路保护。其快速响应时间 (<1ns) 可以确保在瞬态事件发生时及时钳位电压,从而保护后端电路。
  此外,该器件采用 SOD-323 封装,体积小巧,便于 PCB 布局设计。它还具备出色的重复耐久性,在多次 ESD 冲击后仍能保持性能稳定。
  ES1J-F 支持单向或双向配置,用户可以根据具体应用场景选择合适的连接方式。双向配置适用于差分信号线路保护,而单向配置更适合单端信号线路。

应用

ES1J-F 广泛应用于 USB、HDMI、DisplayPort、以太网等高速接口的 ESD 保护。
  此外,它也适合手机、平板电脑、笔记本电脑、路由器以及其他便携式电子设备中的敏感电路防护。
  在工业领域,ES1J-F 还可用于传感器接口、控制信号线路以及通信模块的过压保护。

替代型号

ESD1J-F, PESD5V0S1B

ES1J-F推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价