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ES1DE-TP 发布时间 时间:2025/4/29 11:21:13 查看 阅读:1

ES1DE-TP 是一款高性能的瞬态电压抑制器(TVS),主要用于保护电子电路免受过电压事件的影响,例如静电放电(ESD)、电感负载开关和雷击浪涌等。该器件采用DO-214AC封装形式,具有低电容、快速响应时间和高箝位能力的特点,非常适合高速数据线和信号线的保护应用。

参数

最大工作电压:5V
  峰值脉冲电流:39.1A
  箝位电压:7.6V
  反向关断电压:5.8V
  正向导通电压:1.5V
  结电容:6pF
  响应时间:1ps
  漏电流:1μA

特性

ES1DE-TP 具有非常低的电容值,这使得它特别适合用于高频信号线路保护,不会对信号完整性产生明显影响。
  其极快的响应时间能够迅速抑制瞬态电压尖峰,从而保护敏感的下游元件。
  此外,该器件还具备出色的重复性,能够在多次浪涌冲击后仍然保持性能稳定。
  它的封装形式紧凑适用于表面贴装技术(SMT)工艺。

应用

ES1DE-TP 广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制领域中的接口保护。
  典型应用场景包括 USB 数据线保护、以太网端口防护、RS-232/RS-485 串行通信线路保护、手机及其他便携式设备的 I/O 端口防护等。
  它也常被用在汽车电子系统中,为 CAN 总线和 LIN 总线提供可靠的过电压保护。

替代型号

ESD1C5V0-TP, PESD5V0R1HA, SMGJ5.0A

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ES1DE-TP参数

  • 现有数量6,000现货
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)6,000 : ¥0.57239卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)975 mV @ 1 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)50 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 μA @ 200 V
  • 不同?Vr、F 时电容45pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-214AC,SMA
  • 供应商器件封装DO-214AC(SMAE)
  • 工作温度 - 结-50°C ~ 150°C