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ES1D-TP 发布时间 时间:2025/7/16 11:22:48 查看 阅读:8

ES1D-TP是一种高性能的瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),主要用于保护电路免受静电放电(ESD)、雷击和其他瞬态电压的影响。该器件具有低电容特性,适合高速数据线和信号线的保护。它采用SOD-323封装形式,具备优异的钳位能力和快速响应速度。

参数

型号:ES1D-TP
  封装:SOD-323
  工作电压:5V
  最大反向工作电压:5.8V
  峰值脉冲电流:40A
  箝位电压:7.8V
  结电容:9pF
  响应时间:1ps
  漏电流:1μA(最大值)

特性

ES1D-TP具备以下显著特点:
  1. 快速响应时间:能够以皮秒级的速度对瞬态电压进行抑制,确保被保护设备的安全。
  2. 低结电容:仅为9pF,非常适合高速数据传输线路的应用。
  3. 高可靠性:经过严格测试,能够在恶劣环境下保持稳定性能。
  4. 小型化设计:采用SOD-323封装,节省PCB空间,便于在紧凑型设计中使用。
  5. 宽温度范围支持:能够在-55℃至+150℃的温度范围内正常工作,适应各种环境条件。

应用

该器件广泛应用于需要高可靠性和快速保护能力的场合,包括但不限于:
  1. USB接口保护
  2. HDMI接口保护
  3. 高速数据通信线路保护
  4. 移动设备和消费电子中的ESD防护
  5. 工业自动化设备中的瞬态电压保护
  6. 汽车电子系统中的信号线防护

替代型号

PESD5V0R1BT, SMAJ5.0A

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ES1D-TP参数

  • 产品培训模块Diode Handling and Mounting
  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)200V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)975mV @ 1A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)50ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 200V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AC,SMA
  • 供应商设备封装DO-214AC
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称ES1D-TPDKR