ES1D-13-F 时间：2025/12/26 3:38:58 阅读：14

ES1D-13-F是一款由Central Semiconductor Corp生产的表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOD-123FL封装。该器件设计用于高频、高效率的整流应用，其主要特点是具有较低的正向电压降和快速的反向恢复时间。这些特性使其非常适合在开关电源、DC-DC转换器以及信号解调等对能效和响应速度要求较高的电路中使用。此外，ES1D-13-F具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内保持稳定的电气性能，适用于多种工业、消费类及便携式电子设备中的功率管理与保护电路。
　　该二极管为单芯片结构，属于小信号肖特基类型，广泛应用于需要低功耗和紧凑布局的设计场景。其封装尺寸小巧，便于实现高密度PCB布局，并支持自动化贴片工艺，适合大规模生产。产品符合RoHS环保标准，且具备一定的抗静电能力，提升了在实际应用中的安全性与耐用性。

参数

类型：肖特基二极管
　　配置：单只
　　工作温度：-65°C ~ 125°C
　　额定电流：1A
　　最大正向电压（VF）：450mV @ 10mA
　　最大反向重复峰值电压（VRRM）：30V
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ 25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值5ns
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　最大平均整流电流（IO）：1A
　　热阻：θJA = 200°C/W
　　结温范围：-65°C 至 +125°C

特性

ES1D-13-F的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构通过金属-半导体结代替传统的PN结，显著降低了正向导通压降。在10mA的工作电流下，其最大正向电压仅为450mV，远低于普通硅二极管的700mV以上水平。这一特性极大地减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效，尤其适用于电池供电或对能耗敏感的应用场合。
　　其次，该器件具备极快的反向恢复时间，典型值仅为5ns。由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关过程中几乎无反向恢复电荷产生。这不仅避免了因反向恢复引起的尖峰电流和电磁干扰（EMI），还允许其在高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率下稳定工作，适用于现代高频DC-DC变换器、同步整流辅助电路以及高速开关应用。
　　ES1D-13-F的最大反向重复峰值电压为30V，适合低压电源系统中的整流与防反接保护。其最大反向漏电流在25V偏置条件下仅为0.1μA，表现出优异的阻断能力与低静态功耗。尽管肖特基二极管通常存在较高的反向漏电流问题，但该型号通过优化材料与制造工艺，在保证低VF的同时有效抑制了漏电流的增长，提升了高温环境下的稳定性。
　　SOD-123FL封装具有较小的外形尺寸（约2.7mm × 1.6mm × 1.1mm），有利于节省PCB空间并提升组装密度。同时，该封装具备良好的散热性能和机械强度，配合表面贴装技术可实现自动化回流焊工艺，满足现代电子产品对小型化和高可靠性的双重需求。

应用

ES1D-13-F广泛应用于各类需要高效、快速整流功能的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流，特别是在低输出电压（如3.3V、5V）的AC-DC适配器和DC-DC转换器中，利用其低正向压降减少传导损耗，提高转换效率。
　　该器件也常用于电池充电管理电路中作为防反接或隔离二极管，防止电流倒灌损坏前端电源模块。在便携式设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中，其低功耗特性有助于延长续航时间。
　　此外，ES1D-13-F可用于极性保护电路、OR-ing二极管、箝位电路、续流二极管（flyback diode）以及信号解调电路中，提供快速响应和可靠保护。其高频性能使其适用于PWM控制下的电机驱动电路和LED驱动电源中，用于抑制感性负载产生的反电动势。
　　在通信设备、消费类电子产品、工业控制板卡以及汽车电子模块中，该二极管也被广泛采用，以实现紧凑设计与高能效运行。由于其符合RoHS指令，适用于出口型电子产品和绿色环保项目。