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ES1C 发布时间 时间:2025/5/30 21:24:50 查看 阅读:10

ES1C是一款高性能的瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、电感负载开关和其他瞬态电压尖峰的影响。该器件采用小外形封装,适合空间受限的应用场景,同时具备快速响应时间和低箝位电压特性,能够有效保护敏感的半导体器件。

参数

工作电压:5.8V
  峰值脉冲电流:17.4A
  最大反向漏电流:1μA
  箝位电压:9.3V
  结电容:16pF
  响应时间:1ps
  封装形式:SOD-323

特性

ES1C具有以下显著特点:
  1. 快速响应时间(1ps),能够及时抑制瞬态电压尖峰。
  2. 低箝位电压(9.3V),在过压事件中对被保护器件提供更小的应力。
  3. 小型化封装(SOD-323),适合便携式设备和高密度设计。
  4. 高度可靠的ESD保护能力,符合IEC 61000-4-2标准,可承受±15kV接触放电和±15kV空气放电。
  5. 反向漏电流低至1μA,减少静态功耗。
  6. 工作温度范围广(-55°C至+150°C),适用于各种环境条件。

应用

ES1C广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制系统中的瞬态电压保护场景,具体包括:
  1. USB接口保护
  2. HDMI接口保护
  3. RS-232/RS-485通信端口保护
  4. 移动设备摄像头模块保护
  5. 蓝牙和Wi-Fi模块保护
  6. 工业传感器信号线保护
  7. 汽车电子系统中的瞬态保护

替代型号

PESD5V8R1
  SM712
  TPD5S012
  ESD1C

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ES1C参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)150V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)920mV @ 1A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)15ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 150V
  • 电容@ Vr, F7pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AC,SMA
  • 供应商设备封装DO-214AC(SMA)
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称ES1CFSDKR