ES1BT/R 是一款由 Diodes 公司生产的表面贴装(SMT)肖特基二极管。该器件采用先进的硅工艺制造,具备低正向压降和快速开关特性,适用于高效率的电源转换系统。ES1BT/R 采用 SOD-123 封装,体积小巧,适合空间受限的电路设计。其主要应用包括 DC/DC 转换器、电源整流、极性保护电路以及消费类电子产品中的功率管理模块。
最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
最大平均整流电流(IF(AV)):1A
正向压降(VF):0.45V @ 1A
最大反向漏电流(IR):20μA @ 100V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOD-123
ES1BT/R 肖特基二极管具有多个显著的性能优势。首先,其低正向压降(在 1A 电流下仅为 0.45V)显著降低了导通损耗,从而提高了电源系统的整体效率。其次,该器件具备快速的反向恢复时间(trr 通常低于 10ns),非常适合用于高频开关应用,如开关电源(SMPS)和 DC/DC 转换器。
此外,ES1BT/R 的 SOD-123 小型封装形式非常适合现代电子设备对空间紧凑的要求,例如移动设备、可穿戴电子产品和便携式电源设备。该器件的高浪涌电流承受能力确保在瞬态条件下仍能保持稳定运行。
在可靠性方面,ES1BT/R 具有良好的热稳定性和抗静电能力,符合 RoHS 环保标准,并通过了 JEDEC 认证,适用于工业和消费类电子产品。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C,确保在极端环境条件下仍能保持优异性能。
ES1BT/R 广泛应用于多种电源管理和整流电路中。常见应用包括开关电源中的次级整流、DC/DC 转换器的功率整流、电池充电电路中的极性保护以及反向电压保护电路。此外,该器件也常用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源模块。
在工业自动化系统中,ES1BT/R 可用于 PLC(可编程逻辑控制器)的电源管理单元或传感器模块的保护电路。由于其高可靠性和良好的热性能,该器件也可用于汽车电子系统,例如车载充电器、车身控制模块和 LED 照明系统。
在通信设备中,ES1BT/R 可作为电源整流器或用于 RF 电路中的检波器。由于其小型封装和高频响应特性,也适用于无线基站和小型蜂窝基站(Small Cell)中的电源模块。
1N5819, B1100, SB140, MBR0520, BAS40-04