类型：肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　最大有效值电压（VRMS）：70V
　　最大平均整流电流（IO）：1A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向压降（VF）：0.85V @ 1A
　　最大反向漏电流（IR）：1mA @ 100V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装：SMA (DO-214AC)

ES1BL的最大重复峰值反向电压为100V，这一参数使其适用于中低压整流场合，如开关电源中的次级整流或电池供电系统的电压隔离。在实际应用中，该反向耐压能力可以有效防止因瞬态过压或负载突变引起的击穿风险，提升系统安全性。相较于传统PN结二极管，肖特基结构本身具有更低的开启电压，因此在相同电流条件下，其导通损耗显著降低，有助于提高电源整体效率。尤其是在轻载或中等负载工况下，这种低VF特性带来的节能效果更为明显。
　　该器件的最大平均整流电流为1A，在自然对流散热条件下即可满足大多数常规应用需求。结合其SMA封装的小体积特点，非常适合用于空间受限的设计场景，例如移动电源、USB充电模块和小型AC-DC适配器。同时，高达30A的峰值浪涌电流能力意味着ES1BL能够承受短时间内的大电流冲击，比如电源启动瞬间的电容充电电流，从而避免因浪涌导致的早期失效，增强了系统的鲁棒性。
　　正向压降是衡量整流二极管效率的关键指标之一。ES1BL在1A电流下的最大正向压降仅为0.85V，远低于普通硅二极管的典型1.0V以上水平。这意味着在持续导通状态下，其功耗（P = VF × IF）更小，发热量更低，有利于简化热管理设计。此外，较低的VF还能减少电压损失，使输出端获得更高的有效电压，尤其在低输出电压系统中意义重大。例如，在5V以下的DC-DC转换器中，哪怕几十毫伏的压降节省都能带来可观的效率提升。
　　反向漏电流是另一个影响高温性能的重要参数。ES1BL在100V反向电压下的最大漏电流为1mA，虽然相对于某些超低漏电二极管略高，但在同类肖特基产品中仍处于合理范围。需要注意的是，肖特基二极管的漏电流会随温度升高而指数增长，因此在高温环境下应适当降额使用以确保可靠性。总体而言，ES1BL在性能、尺寸与成本之间实现了良好平衡，是一款成熟可靠的表面贴装整流解决方案。

ES1BL广泛应用于各类中小功率电源系统中，典型用途包括开关模式电源（SMPS）的输出整流环节，特别是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑中作为次级侧整流元件。其快速恢复特性无需额外配置续流二极管吸收电路，简化了设计复杂度。在DC-DC转换器模块中，该器件可用于非隔离型 buck 或 boost 架构中的续流路径，提供高效的能量回馈通道。此外，它也被用于AC适配器、充电器、LED驱动电源等消费类电子产品中，承担交流到直流的整流任务或作为防反接保护元件。
　　在通信设备和网络终端设备中，ES1BL可用于板级电源管理单元中的电压钳位与极性保护，防止因误接或雷击感应造成的损坏。其高浪涌承受能力在此类应用中尤为重要。在工业控制系统中，该二极管可集成于传感器供电回路或PLC输入接口中，实现信号整流与隔离功能。同时，由于其具备良好的温度适应性，也可用于汽车电子外围电路中，如车载充电模块、LED灯带驱动等非主控区域，但需注意高温环境下漏电流的变化。
　　在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机的充电管理电路中，ES1BL因其小尺寸和高效率而备受青睐。SMA封装支持自动化贴片生产，提高了组装效率和一致性。此外，该器件还可用于太阳能充电控制器、UPS不间断电源的备用充放电回路中，作为防倒灌二极管使用，确保能量单向流动。综上所述，ES1BL凭借其综合性能优势，已成为现代电子电源设计中不可或缺的基础元器件之一。

1N5819WS, SS14, SB1100, MBR1100