时间：2025/8/15 6:55:40
阅读：24
ES1006FL 是一款由 Everspin Technologies 生产的非易失性 MRAM（磁阻式随机存取存储器）芯片。与传统的易失性存储器（如 SRAM 和 DRAM）不同，MRAM 利用磁性材料来存储数据，能够在断电后保留数据，同时具备快速读写性能和无限次写入耐久性。ES1006FL 采用 48-TFSOP 封装，容量为 4 Mbit，支持高速访问，适用于需要高可靠性和低功耗的应用场景。
容量：4 Mbit
封装：48-TFSOP
接口类型：异步SRAM接口
最大访问时间：55 ns
工作电压：2.3V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据保持时间：无限
写入耐久性：无限次
读取耐久性：无限次
典型功耗（读取）：10 mA
典型功耗（待机）：10 μA
ES1006FL 的核心优势在于其非易失性存储技术，使其在断电情况下无需额外的电源管理即可保持数据完整性。与传统的闪存相比，MRAM 没有擦写次数限制，可以实现无限次写入，大大提高了系统的可靠性和使用寿命。该芯片支持高速访问，最大访问时间为 55 ns，适用于实时系统和需要快速数据存取的应用。此外，ES1006FL 的功耗极低，在待机模式下仅需 10 μA 的电流，非常适合电池供电设备和低功耗设计。该芯片的宽电压范围（2.3V 至 3.6V）和宽温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在各种工业环境中稳定运行。MRAM 技术还具有抗辐射和抗震动的能力，进一步增强了其在航空航天、军事和工业自动化等严苛环境中的适用性。
ES1006FL 广泛应用于需要高可靠性、低功耗和高速访问的场景。典型应用包括工业控制系统、医疗设备、数据采集系统、通信基础设施、航空航天电子系统以及智能电表等嵌入式系统。由于其非易失性和无限写入能力，该芯片也常用于需要频繁写入数据的日志记录和实时数据存储场合。
MR48V16A、AS48LDB16A、FM21L16B、IS66WVH4M4BBLL
