时间：2025/12/28 21:24:25
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ES1000-9675 是一款由 Everspin Technologies 生产的非易失性存储器（NVM）芯片，属于其MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻式随机存取存储器）产品系列。该芯片结合了高速读写性能和非易失性存储特性，适用于需要高可靠性和低功耗的应用场景。
型号：ES1000-9675
容量：1 Mbit
组织结构：128K x 8
电压供应：2.3V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数量：54
访问时间：55 ns
读取电流：10 mA
写入电流：15 mA
数据保持时间：超过20年
ES1000-9675 是一款高性能的MRAM芯片，其核心特性源于磁阻式存储技术。该芯片具备非易失性存储能力，在断电情况下仍能保留数据，无需备用电源。其读写速度接近于SRAM，同时具备类似于闪存的非易失性优势，使其成为工业控制、汽车电子和高可靠性系统中的理想选择。
该芯片的读取和写入操作均在55 ns内完成，支持高速数据存取。此外，ES1000-9675 的耐久性极高，支持无限次读写操作，避免了传统闪存因写入次数限制而导致的寿命问题。其低功耗特性也使其适用于电池供电设备和嵌入式系统。
封装方面，ES1000-9675 采用54引脚TSOP封装，便于集成到各种电路板设计中。工作温度范围为-40°C至+85°C，确保其在恶劣环境条件下仍能稳定运行。该芯片的电压供应范围为2.3V至3.6V，提供较高的电源适应性。
ES1000-9675 主要应用于需要高速、非易失性存储和高可靠性的电子系统。常见应用场景包括工业自动化设备、汽车控制系统、网络基础设施设备、数据采集系统以及军事和航空航天领域中的嵌入式存储模块。由于其低功耗和高耐久性特点，也适用于智能卡终端、医疗设备和便携式仪器等对电源和数据持久性有较高要求的场合。
MR48V1000BYS35N, MR48V1000BYS35MN3
