ERZV10D121 时间：2025/9/14 19:24:00 阅读：5

ERZV10D121是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效功率管理的电子设备中。该器件采用先进的功率MOSFET技术，具备低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性等特点，适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等多个领域。ERZV10D121采用小型表面贴装封装，便于在高密度PCB设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　漏源极电压（VDS）：120V
　　栅源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.12Ω @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：SOP-8
　　功耗（PD）：40W

特性

ERZV10D121是一款高性能的N沟道MOSFET，其主要特性包括低导通电阻、高耐压能力和快速开关性能。该器件的RDS(on)仅为0.12Ω，在10V栅极驱动电压下可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，ERZV10D121支持高达120V的漏源极电压，使其适用于中高压功率转换应用，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。
　　在封装方面，ERZV10D121采用SOP-8封装，具有良好的热管理性能，可在高电流条件下保持稳定工作。该封装形式支持表面贴装工艺，适用于自动化生产和紧凑型电路设计。此外，该MOSFET具有宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C），能够在高温环境下可靠运行，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品。
　　该器件还具备出色的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定，提升系统的可靠性和耐用性。结合其低栅极电荷（Qg）特性，ERZV10D121在高频开关应用中表现优异，有助于减小电源系统的体积并提升效率。

应用

ERZV10D121广泛应用于各种功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关和逆变器等。其低导通电阻和高耐压能力使其特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换电路。在工业自动化和汽车电子领域，ERZV10D121可用于控制电机、LED照明和传感器模块的电源管理。此外，该MOSFET也常用于便携式设备和嵌入式系统的电源控制电路中。