类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：140V
　　最大漏极电流（Id）：160A
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.4mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：160nC（典型值）
　　最大工作温度：175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

ERZ-V14D241 MOSFET具有多项先进的技术特性，确保其在高压、高电流应用中的稳定性和可靠性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。这使得该器件非常适合用于需要高效能转换的电源系统，例如DC-DC转换器和不间断电源（UPS）。
　　其次，该MOSFET采用了东芝的U-MOS VIII-H沟槽技术，提供了优异的开关性能，降低了开关损耗，并提高了器件的响应速度。这在高频开关应用中尤为重要，能够有效减少热量产生，延长器件寿命。
　　此外，ERZ-V14D241具备高雪崩能量耐受能力，能够在异常工作条件下（如过压或短路）提供更强的保护，从而提高系统的稳定性。该器件的封装采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　该MOSFET还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少驱动电路的负担，提高开关速度，从而进一步降低开关损耗。其最大漏极电流可达160A，适合高电流负载应用，如电机驱动器和逆变器。

ERZ-V14D241广泛应用于多个高性能功率电子系统中。在工业领域，该器件常用于伺服电机驱动器、可编程逻辑控制器（PLC）和工业逆变器等设备，其高电流能力和低导通损耗使其成为高功率电机控制的理想选择。在电源管理系统中，该MOSFET可用于高效率的DC-DC转换器、同步整流器以及不间断电源（UPS）系统，以提升整体能效和稳定性。此外，该器件也适用于新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中的功率开关模块。由于其高可靠性和优异的热性能，该器件还可用于电动汽车（EV）充电设备、电动工具和高功率LED照明系统。

TKA160N14DQ618A, IRLB4132PBF, SiR178DP, STP150N14F7