电容值：5600 pF
　　容差：±20%
　　额定电压：50 V
　　介质材料：Class I (C0G/NPO)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1812 (4532 mm)
　　绝缘电阻：10000 MΩ
　　损耗因子（DF）：≤2.5%
　　工作模式：直流

ERWG401LGC562MEB5M具有多项优异的电气和机械特性，使其在各种电子设备中表现出色。首先，其采用Class I陶瓷介质材料（C0G/NPO），具有极低的温度系数，确保了电容值在宽温度范围内保持稳定，这对于精密模拟电路和高精度滤波器应用至关重要。此外，该电容器的损耗因子（DF）较低，意味着在高频下具有优异的能量效率，减少了信号失真和功率损耗。
　　该器件的容差为±20%，在某些应用中提供了更大的灵活性，同时其额定电压为50V，适用于中高压电路环境。封装尺寸为1812（4532mm），在保证足够的电容量的同时，也具备良好的焊接稳定性和机械强度，适合用于高振动或高可靠性要求的环境中。
　　ERWG401LGC562MEB5M还具备出色的绝缘电阻（≥10000MΩ），从而降低了漏电流的风险，提高了电路的稳定性和安全性。这种电容器还符合RoHS标准，适用于无铅焊接工艺，符合现代电子制造的环保要求。

ERWG401LGC562MEB5M广泛应用于多种电子系统中，特别是在对稳定性和可靠性要求较高的场合。例如，在通信设备中，它常用于射频（RF）滤波器、振荡器和放大器电路中，以确保信号的高保真传输。在工业控制和自动化系统中，该电容器可用于电源去耦和噪声抑制，提高系统的抗干扰能力。
　　此外，它也适用于医疗电子设备，如心电图机、超声波设备等，这些设备对电容的稳定性和精度要求极高。在汽车电子领域，该电容器可应用于车载电源管理系统、传感器模块和安全控制系统中，以适应严苛的温度和振动环境。
　　由于其高可靠性和低损耗特性，ERWG401LGC562MEB5M也常用于航空航天和国防电子设备中，如雷达系统、导航设备和卫星通信模块。

C3225X5R1H562MEU-C | GRM32ER71H562KA01L | C2220C562KGACTU | CL21B562KBANNEC