电容值：270 pF
　　容差：±20%
　　额定电压：50 V
　　温度系数：C0G（NP0）
　　封装尺寸：0805（2012 公制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10,000 MΩ min
　　损耗因数（DF）：≤0.15%

ERWE451LGB271MA50M 是一款基于C0G（NP0）介质材料的多层陶瓷电容器，具有优异的电气稳定性和温度稳定性。其主要特性包括：
　　? 高精度容差：±20% 的容差范围，适合对容值精度有一定要求的电路设计；
　　? 高稳定性：C0G（NP0）材料的使用确保了在宽温度范围内电容值变化极小，适用于高频滤波和振荡电路；
　　? 低损耗因数：该型号的损耗因数较低，通常不超过0.15%，能够有效减少信号传输中的能量损失，提高电路效率；
　　? 高可靠性：通过严格的工业标准测试，确保在恶劣环境下仍能保持稳定工作性能；
　　? 表面贴装设计：0805（2012 公制）封装形式，适合自动化贴片生产，节省PCB空间并提高生产效率；
　　? 宽工作温度范围：支持从-55°C至+125°C的工作环境，适用于工业级和汽车电子应用。
　　此外，该电容器具有良好的耐压性能，额定电压为50V，适合中高电压应用场景。

ERWE451LGB271MA50M 主要应用于对电容稳定性和低损耗有较高要求的电路设计中。典型应用包括：
　　? 高频滤波电路：用于去除信号中的高频噪声，确保信号的完整性；
　　? 振荡器电路：作为谐振电路的一部分，用于提供稳定的频率参考；
　　? 信号耦合与去耦：用于隔离直流分量并传递交流信号，或用于电源去耦以减少电源噪声；
　　? 工业控制设备：如PLC、传感器和测量仪器，用于提高系统的稳定性和抗干扰能力；
　　? 通信设备：如无线基站、光模块和测试仪器，用于确保高频信号的稳定传输；
　　? 汽车电子系统：包括车载控制模块和传感器接口电路。

TDK C0805C271K5RACTU
　　Kemet C0805C271K5RAC
　　Murata GRM2195C1H271JA01D