ERG27-08 是一款由日本电气(NEC)推出的功率MOSFET驱动器集成电路,广泛用于工业控制、电源转换和电机驱动等应用中。该器件采用高压集成电路(HVIC)技术,能够高效驱动高边和低边的功率MOSFET或IGBT。ERG27-08 提供了可靠的电气隔离和保护功能,适用于半桥结构的功率变换电路。
工作电压:15V 最大(典型电源电压为10V至20V)
输出电流:±0.35A(峰值)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装类型:DIP-8 或 SOP-8
传播延迟:约120ns(典型值)
输入逻辑兼容:CMOS/TTL
驱动能力:适用于N沟道功率MOSFET和IGBT
绝缘耐压:1500Vrms(隔离型版本)
ERG27-08 具有多个关键特性,确保其在复杂电源系统中的稳定性和高效性。首先,该IC集成了高压侧浮动电源技术,使得高边驱动无需额外的隔离电源。其次,内置的欠压锁定(UVLO)功能可以防止MOSFET在电源电压不足时误操作,从而避免潜在的器件损坏。此外,ERG27-08 的输出端具备高达600V的耐压能力,适用于高电压应用环境。
该芯片的输入信号兼容TTL和CMOS电平,简化了与控制器(如微处理器或PWM控制器)之间的接口设计。其传播延迟时间较短,有助于提高系统的响应速度和效率。ERG27-08 还具备较强的抗噪能力,能够在高电磁干扰环境下稳定工作。
在封装方面,ERG27-08 提供了DIP-8和SOP-8两种封装形式,满足不同电路板布局的需求。其工业级工作温度范围(-40°C至+125°C)使其适用于恶劣环境下的工业设备和车载系统。
ERG27-08 主要用于各种功率电子系统中,如直流-交流逆变器、交流-交流电源控制器、无刷直流电机驱动器、UPS不间断电源、工业自动化设备以及开关电源(SMPS)。其典型应用是作为半桥结构中的MOSFET驱动器,配合主控芯片实现高效的功率转换。
在电机驱动应用中,ERG27-08 可以驱动H桥电路中的高边和低边MOSFET,实现电机的正反转控制。在太阳能逆变器或电动车电驱系统中,该芯片也可用于驱动功率开关器件,提升系统效率和可靠性。
由于其良好的隔离性能和抗干扰能力,ERG27-08 也常被用于需要高安全等级的家电产品,如变频空调压缩机驱动电路。
IR2104、FAN7382、TC4427、IRS2001