时间：2025/12/28 9:29:43
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ERD38-05是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高效率、高电压硅碳化物（SiC）肖特基二极管，专为高功率密度和高频率开关应用而设计。该器件采用先进的碳化物半导体技术，具有零反向恢复电荷（Qrr）和无反向恢复电流的特性，显著降低了开关损耗，提高了系统整体效率。ERD38-05属于EasyPACK?系列模块封装产品，具备低热阻和优异的机械稳定性，适用于工业电机驱动、可再生能源系统（如光伏逆变器）、不间断电源（UPS）以及电动汽车充电设备等高端电力电子系统。其坚固的设计确保在高温和高电压环境下仍能稳定运行，是替代传统硅基快恢复二极管（FRD）的理想选择。
该器件的额定电压为650V，平均正向整流电流可达38A，在150°C壳温下可长期稳定工作。由于采用了压接式（Press-Fit）引脚技术，ERD38-05可在不使用焊料的情况下实现PCB连接，提升了系统的可靠性和抗热疲劳能力。此外，模块内部结构优化了电感和散热路径，有助于减少电磁干扰（EMI）并提升功率循环能力。作为一款高性能的功率二极管模块，ERD38-05在现代高效能电源转换系统中扮演着关键角色，尤其适合需要紧凑设计和高效散热管理的应用场景。
型号：ERD38-05
制造商：Infineon Technologies
器件类型：SiC Schottky Diode Module
封装类型：EasyPACK?
额定电压(VRRM)：650V
平均正向整流电流(IF(AV))：38A
峰值反向电流(IR)：20mA（最大值，@Tj=150°C）
正向电压降(VF)：1.7V（典型值，@IF=38A, Tj=25°C）
工作结温范围(Tj)：-40°C 至 +175°C
存储温度(Tstg)：-40°C 至 +175°C
绝缘类型：带绝缘底板
安装方式：压接式（Press-Fit）
每桥臂芯片数量：单芯片
热阻(Rth(j-c))：0.35 K/W（典型值）
ERD38-05所采用的碳化物（SiC）材料赋予其卓越的电气性能，尤其是在高频开关条件下表现突出。与传统的硅基二极管相比，SiC肖特基二极管没有少数载流子存储效应，因此不存在反向恢复过程，从而彻底消除了反向恢复损耗和相关的电磁噪声。这一特性使得ERD38-05在高频DC-DC变换器、PFC电路以及逆变器中能够大幅提高系统效率，并允许更高的开关频率运行，进而减小磁性元件和电容的体积，实现更紧凑的系统设计。同时，其正向压降较低且随温度变化较小，保证了在宽温度范围内的一致性能表现。
该模块的EasyPACK?封装结构不仅提供了良好的电气隔离，还具备出色的散热能力。通过低热阻路径将热量从芯片传导至散热器，有效控制结温上升，延长器件寿命。封装内部采用先进的键合工艺和高可靠性材料，增强了抗热循环和机械振动的能力。压接式引脚设计避免了焊接带来的虚焊、裂纹等问题，特别适用于对长期运行可靠性要求极高的工业和交通类应用。此外，模块底部通常配有陶瓷绝缘层（如AlN或Al2O3），提供高达数kV的电气隔离强度，满足安全标准要求。
ERD38-05的工作结温最高可达175°C，远高于传统硅器件的150°C上限，使其能够在高温环境中持续运行而不需额外降温措施。这在密闭空间或自然冷却系统中尤为重要。结合其宽泛的温度适应能力和稳定的参数漂移特性，该器件非常适合用于恶劣工况下的电力转换系统。总体而言，ERD38-05凭借其高效率、高可靠性和优异的热管理能力，成为现代高功率密度电源系统中的关键组件之一。
ERD38-05广泛应用于各类高效率电力电子转换系统中。在工业领域，它常被用作变频器和伺服驱动器中的续流二极管或升压二极管，配合IGBT或SiC MOSFET使用，以实现高效的能量回馈和电压调节。在太阳能光伏逆变器中，该器件因其低导通损耗和零反向恢复特性，被用于boost PFC（功率因数校正）级，显著提升整机效率并降低系统发热。此外，在不间断电源（UPS）系统中，ERD38-05可用于整流和逆变桥臂的辅助二极管，提高系统动态响应速度和运行效率。
在电动汽车充电基础设施方面，ERD38-05适用于车载充电机（OBC）和直流充电桩的辅助电源及主功率回路中，支持高频率开关操作，有助于减小滤波元件尺寸并提升功率密度。同时，其高结温能力和压接式安装特性也符合汽车电子对可靠性和耐久性的严苛要求。在风力发电变流器、储能系统以及感应加热设备中，该器件同样展现出优异的性能表现。由于其模块化设计便于系统集成和维护，因此在需要模块替换或批量生产的设计中具有明显优势。
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