EQ50F100是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他电力电子领域。该器件采用了先进的制造工艺,能够提供高效率和低损耗的性能。
其主要特点是低导通电阻和快速开关能力,适合在高频条件下工作。EQ50F100的封装形式通常为TO-220或TO-247,方便散热设计并支持高电流负载。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:50A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:65nC
功耗:180W
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
EQ50F100具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效降低传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关速度,减少开关损耗,特别适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 支持大电流操作,适用于多种高功率场景。
5. 提供完善的热管理和保护机制,确保长期可靠性。
6. 封装兼容性强,便于安装和替换其他类似产品。
EQ50F100适用于以下应用场景:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换阶段。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统。
4. 电动车和混合动力汽车的电池管理系统及电机控制器。
5. 高效DC-DC转换器设计。
6. 各类需要高电流、高效率切换的应用场合。
IRFP260N
STP50NF10
FDP5010
IXFK50N10T2