容量：8 Mbit
　　组织结构：512K × 16
　　供电电压：3.3V ± 0.3V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：44-pin TSOP Type II
　　访问时间：10/12/15/20 ns（根据不同速度等级）
　　工作模式：异步静态RAM
　　输入/输出逻辑电平：LVTTL兼容
　　写使能：WE# 控制
　　输出使能：OE# 控制
　　片选信号：CE1#/CE2（双片选支持）
　　最大读取电流：25 mA（典型值）
　　待机电流：2 μA（最大值，CMOS低功耗模式）

EPX880LC具备出色的高速存取能力，典型访问时间可低至10ns，使其能够在高频微处理器或DSP系统中实现无缝数据交互，显著提升系统整体响应速度。其异步操作模式无需时钟同步，简化了时序设计，避免了时钟抖动和相位偏移带来的稳定性问题，特别适用于对时序控制要求灵活的应用场合。该器件采用先进的CMOS工艺制造，有效降低了动态和静态功耗，在待机状态下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的工作时间，满足绿色节能的设计趋势。双片选引脚（CE1#和CE2）设计增强了其在多存储体系统中的灵活性，允许更精细的存储映射和片选控制，便于构建复杂的内存架构。所有输入输出引脚均兼容LVTTL电平标准，可直接与多种主流控制器和FPGA进行接口连接，无需额外的电平转换电路，降低系统复杂度和成本。芯片内部集成输出使能（OE#）和写使能（WE#）控制逻辑，支持独立的读写操作管理，确保数据总线的安全性和完整性。此外，EPX880LC通过了严格的工业级可靠性测试，包括高温工作寿命测试（HTOL）、温度循环和高压蒸煮试验，保证在极端环境下的长期稳定运行。其TSOP封装具有良好的热传导性能和机械强度，适合回流焊工艺，适用于自动化大规模生产。
　　该SRAM器件无刷新需求，避免了DRAM常见的刷新开销和访问延迟波动，提供确定性的访问时序，非常适合实时控制系统如PLC、电机驱动器和工业HMI等应用场景。其512K × 16位的组织结构优化了16位数据总线系统的数据吞吐效率，尤其适用于传统16位微控制器（如Intel 80C186、MC683xx系列）或FPGA协处理架构。EPIQ Memory在被Micron收购后，继续维持该系列产品的供货和技术支持，确保客户在产品生命周期内的持续供应。此外，EPX880LC符合RoHS环保标准，不含铅、镉等有害物质，适应全球环保法规要求。其高抗干扰能力和稳定的电气特性也使其在电磁环境复杂的工业现场中表现优异。

EPX880LC广泛应用于通信基础设施设备中，如路由器、交换机和基站控制器，用于缓存配置数据、协议栈信息和临时报文处理，提升系统响应速度和数据处理能力。在工业自动化领域，它被集成于可编程逻辑控制器（PLC）、人机界面（HMI）和数控机床（CNC）系统中，作为高速数据缓冲区或程序暂存区，支持实时任务调度和高速I/O采集。在网络存储设备和嵌入式网关中，该SRAM用于存放固件运行时变量和DMA传输缓冲，增强系统稳定性和吞吐性能。在医疗电子设备中，例如便携式监护仪和成像系统控制器，EPX880LC提供可靠的非易失性外围存储支持（配合电池备份），确保关键数据不丢失。此外，该器件也常见于测试与测量仪器，如示波器、频谱分析仪等，用于高速采样数据的临时存储和快速读取。航空航天和国防电子系统中，由于其宽温特性和高可靠性，EPX880LC可用于雷达信号处理模块、飞行控制单元的数据缓存部分。在消费类高端设备如专业音视频设备、广播级摄像机中，也可见其用于帧缓冲或编码预处理环节。由于其成熟的技术和稳定的供货历史，许多Legacy系统升级项目仍选择该型号以保持兼容性和维护便利性。

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