类型：增强型GaN FET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：30A
　　导通电阻（RDS(on)）：3.5mΩ
　　栅极电荷（QG）：10nC
　　输入电容（Ciss）：1200pF
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：DFN 8x8mm

EPH2R0030具有多项优异的电气和物理特性。首先，其采用的GaN技术使得该器件在高频工作条件下表现出色，能够显著降低开关损耗，提高整体系统的能效。其次，EPH2R0030的低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流应用中的低导通损耗，进一步提升了系统的效率。
　　此外，该器件具有较低的栅极电荷（QG）和输入电容（Ciss），使得驱动电路的设计更加简单，并且可以实现更快的开关速度，从而减少开关损耗。EPH2R0030还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于高可靠性要求的应用场景。
　　在封装方面，EPH2R0030采用了DFN 8x8mm的小型封装形式，具有良好的散热性能，并且支持表面贴装工艺，便于自动化生产和PCB布局。该封装还具有较低的寄生电感，有助于减少高频工作时的电磁干扰（EMI）。

EPH2R0030主要应用于需要高效率、高频率和高功率密度的电力电子系统。例如，在DC-DC转换器中，EPH2R0030可以用于构建高效能的同步整流器或主开关元件，以提高转换效率并减小电路体积。在服务器电源和电信电源系统中，EPH2R0030能够满足高功率密度和高可靠性的要求，提升整体系统的性能。
　　此外，该器件还可用于工业电源、电机驱动器、电池充电器以及新能源领域的功率转换系统。由于其优异的高频特性，EPH2R0030也非常适合用于谐振变换器、LLC变换器等先进拓扑结构的功率器件设计中。

EPC2045, EPC2052, EPC2067