类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）：30 A（典型值）
　　脉冲漏极电流（IDM）：120 A
　　导通电阻（RDS(on)）：10 mΩ（最大值，@ VGS = 5V）
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：2.1 V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：4500 pF
　　输出电容（Coss）：1200 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C（无体二极管反向恢复）
　　最大工作结温（Tj）：150 °C
　　封装形式：TC100（小型陶瓷封装）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　栅极驱动电压（VGS）：推荐 5V 驱动，最大 ±6V

EPEP1K10TC100-3的核心优势在于其基于氮化镓（GaN）材料的增强型结构设计，这使得它在高频高效电力转换领域表现出色。传统硅MOSFET受限于材料本身的物理极限，在高频下会产生较大的开关损耗和导通损耗，而EPEP1K10TC100-3通过利用GaN材料更高的电子饱和速度和更强的禁带宽度，有效降低了这些损耗。其10mΩ的超低导通电阻确保在大电流条件下仍能保持较低的导通压降，从而减少I2R损耗，提升能效。更重要的是，该器件为增强型（常关型）设计，意味着在栅极为零偏置时器件处于关闭状态，这一特性极大简化了驱动电路的设计难度，提升了系统的安全性和可操作性，特别适合非专业用户或对安全性要求高的应用场景。
　　该器件具备极快的开关速度，得益于GaN材料本身极低的寄生电容和优化的封装结构，能够实现纳秒级的上升和下降时间，支持MHz级别的开关频率运行。这不仅允许使用更小的外围滤波元件（如电感和电容），还显著缩小了整个电源系统的体积与重量，有利于实现高功率密度的设计目标。同时，由于GaN FET没有传统MOSFET中的寄生体二极管，因此不存在反向恢复电荷（Qrr = 0），避免了由此引发的额外开关损耗和电磁干扰（EMI），使系统在硬开关拓扑中也能保持较高的效率和平稳的工作状态。
　　在热管理方面，EPEP1K10TC100-3采用TC100陶瓷封装，具备优良的热导率和机械稳定性，能够将芯片产生的热量迅速传导至PCB或散热结构，保障长时间稳定运行。其最高结温可达150°C，并支持宽范围的工作环境温度，适用于工业级和部分军用级应用。此外，该器件对dv/dt和di/dt具有较强的耐受能力，配合合适的栅极驱动设计，可有效防止误触发和振荡现象。综合来看，EPEP1K10TC100-3是一款面向未来高效能电源系统的先进功率器件，代表了从硅向宽禁带半导体过渡的重要方向。

EPEP1K10TC100-3广泛应用于对效率、功率密度和开关频率有严苛要求的现代电力电子系统中。一个典型的应用场景是数据中心和高性能计算设备中的48V至12V或12V至1V的中间总线转换器（IBC）和多相VRM（电压调节模块）。在这些系统中，高频操作可以显著减小磁性元件的尺寸，而低RDS(on)则有助于降低大电流路径上的功耗，从而提升整体能效并减少冷却需求。此外，该器件也适用于高密度AC-DC电源适配器、USB-PD快充充电器、无线充电发射端电源电路以及LED照明驱动电源等消费类电子产品，尤其是在追求小型化和高效化的趋势下，EPEP1K10TC100-3的优势尤为突出。
　　在工业领域，该器件可用于精密仪器电源、自动化控制系统中的DC-DC模块、电机驱动器的辅助电源轨以及电信基站的电源管理系统。其快速响应能力和良好的动态负载调节性能，使其能够在瞬态负载变化频繁的环境中保持输出电压稳定。另外，由于其出色的EMI表现（归功于无反向恢复电荷），在医疗电子设备和测试测量仪器中也有潜在应用价值，这类设备通常对电磁兼容性有严格要求。
　　在新兴技术领域，EPEP1K10TC100-3还可用于激光二极管驱动电源、LiDAR系统中的脉冲功率放大级、光伏逆变器的辅助电源以及电动汽车车载充电机（OBC）内的次级同步整流或初级侧高频开关单元。随着氮化镓技术的成熟和成本下降，越来越多原本采用硅基器件的系统开始转向GaN方案，以实现更高的性能指标和更优的系统级经济效益。

EPC2045
　　EPC2053
　　LMG3410R030
　　GSL9N10MR