EPCQL1024F24IN 是由 Efficient Power Conversion (EPC) 公司推出的一款基于氮化镓(GaN)技术的集成电路。该器件采用 QL 封装,专为高效率和高频开关应用设计,例如 DC-DC 转换器、无线充电模块、电机驱动以及通信电源等。得益于 GaN 的优异性能,该芯片能够在高频工作条件下提供卓越的能效,并显著减小系统尺寸。
这款器件集成了一个增强型 GaN FET 和相关驱动电路,从而简化了设计流程并提升了系统的整体可靠性。
型号:EPCQL1024F24IN
封装:QL
工作电压:100V
连续漏极电流:2.4A
导通电阻:130mΩ
栅极电荷:8nC
输入电容:950pF
反向恢复电荷:无(GaN 特性)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
结温:175°C
EPCQL1024F24IN 的主要特点是采用了先进的氮化镓场效应晶体管技术,与传统的硅基 MOSFET 相比,具备更低的导通电阻和更少的寄生电容。这些特性使其在高频和高效应用场景中表现出色。
GaN 技术带来的优势包括:
- 更快的开关速度,减少了开关损耗。
- 更高的功率密度,允许设计更加紧凑的电源系统。
- 零反向恢复电荷,进一步提升效率。
- 更低的热阻,确保在高温环境下的稳定运行。
此外,集成的驱动电路使得外围元件数量减少,从而降低了整个系统的复杂性和成本。
该器件适用于广泛的高频电力电子应用领域,例如:
- 小型高效 DC-DC 转换器
- 消费类电子设备中的无线充电发射端
- 高频软开关逆变器
- 工业自动化控制中的电机驱动器
- 数据中心和通信基站的电源模块
EPCQL1024F24IN 的高频特性和高效表现使其成为现代电力电子设计的理想选择。
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