EPCQ16ASI8N 时间：2025/4/30 14:20:09 阅读：6

EPCQ16ASI8N是Efficient Power Conversion (EPC) 公司生产的基于氮化镓（GaN）技术的集成芯片。该器件采用先进的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），具有极低的导通电阻和快速开关性能，适用于高频、高效能电源转换和负载点应用。
　　该型号专为需要高效率和小尺寸解决方案的应用而设计，能够显著减少系统中的功率损耗并提升整体效能。

参数

类型：增强型氮化镓场效应晶体管
　　封装：CLP4
　　导通电阻：25 mΩ（典型值，在Vgs=6V时）
　　漏源电压：100 V
　　连续漏极电流：16 A
　　栅极电荷：9 nC（典型值）
　　输入电容：1300 pF（典型值）
　　最大工作结温：175 °C
　　开关频率：支持高达数MHz

特性

EPCQ16ASI8N的主要特性包括：
　　1. 高效的氮化镓技术，大幅降低导通和开关损耗。
　　2. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频条件下保持高效率。
　　3. 快速的开关速度和较低的栅极电荷，适合高频应用。
　　4. 小巧的封装尺寸，节省电路板空间。
　　5. 支持高达175°C的工作结温，适应恶劣环境下的使用。
　　6. 集成了保护功能，如过流和过温保护，提高了系统的可靠性和稳定性。
　　7. 提供了出色的热性能，有助于在高功率密度应用中保持低温运行。

应用

该器件广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）
　　2. DC-DC转换器
　　3. 负载点转换器（POL）
　　4. 无线充电模块
　　5. LED驱动器
　　6. 激光雷达（LiDAR）和电机驱动
　　7. 数据中心服务器电源
　　8. 消费电子设备中的快充适配器
　　由于其高频性能和高效率，EPCQ16ASI8N非常适合于需要小型化和高性能的现代电子产品设计。