EPC8QC100 是一款由 Efficient Power Conversion (EPC) 公司生产的氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET),采用先进的 GaN 技术制造,具有高开关速度、低导通电阻和高效率等特性。该器件适用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器、无线充电设备、电源管理模块以及各种高性能功率转换系统。
EPC8QC100 的设计使其能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。与传统硅基 MOSFET 相比,这款 GaN FET 提供了更优异的性能表现,同时简化了电路设计并减少了整体系统成本。
最大漏源电压:100V
最大连续漏极电流:8A
典型导通电阻:9mΩ
栅极电荷:4.5nC
输入电容:263pF
输出电容:170pF
反向传输电容:27pF
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
EPC8QC100 具备以下显著特性:
1. 高开关频率支持,可达到 MHz 级别,从而减少磁性元件体积和提高功率密度。
2. 极低的导通电阻(Rds(on)),降低传导损耗,提升系统效率。
3. 快速开关能力,减少开关损耗并允许使用更小的无源元件。
4. 无反向恢复电荷 (Qrr),进一步优化高频操作下的性能。
5. 小型封装设计,便于集成到紧凑型产品中。
6. 高可靠性,适合长时间运行的工业及消费类应用环境。
EPC8QC100 广泛应用于以下领域:
1. 高效 DC-DC 转换器,用于服务器、通信设备和汽车电子。
2. 无线充电发射端和接收端解决方案。
3. 消费类快充适配器,提供快速且小巧的设计。
4. 工业级电机驱动控制。
5. LED 照明驱动电源,实现更高的能效比。
6. 光伏逆变器和其他新能源相关应用。
EPC2020
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