EPC8Q 时间：2025/12/25 2:47:17 阅读：19

EPC8Q 是一款由 Efficient Power Conversion (EPC) 公司推出的增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（eGaN FET）。该器件设计用于高效率、高频功率转换应用，具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能。EPC8Q 采用先进的晶圆级芯片级封装（Chip-Scale Packaging, CSP）技术，显著减小了封装尺寸并降低了寄生电感，使其非常适合用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器以及无线充电系统等高性能应用。

参数

类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　最大漏源电压（VDS(max)）：80 V
　　最大连续漏极电流（ID(max)）@ 25°C：50 A
　　导通电阻（RDS(on)）：11 mΩ
　　栅极电荷（QG）：7.5 nC
　　输入电容（Ciss）：1380 pF
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：晶圆级芯片级封装（WLCSP）

特性

EPC8Q 的核心优势在于其基于氮化镓材料的卓越电气特性，相较于传统硅基MOSFET，它具备更低的导通损耗和开关损耗。该器件的RDS(on)仅为11 mΩ，在高电流应用中可显著降低导通损耗，提高系统效率。其低栅极电荷（QG）和输入电容（Ciss）使其在高频开关应用中表现优异，支持更高的开关频率，从而减小外部电感和电容的尺寸，提高功率密度。
　　EPC8Q 采用无引线封装技术，显著降低了封装电感，提高了高频工作时的稳定性。此外，该器件具备优异的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行，确保系统的长期可靠性。
　　该器件还内置了先进的栅极保护机制，能够防止因栅极电压过高而导致的损坏，提升了器件的耐用性和安全性。EPC8Q 的封装尺寸非常紧凑，适用于对空间要求较高的应用，如便携式电源设备、服务器电源系统以及车载电子系统。

应用

EPC8Q 广泛应用于各类高效率、高频功率转换系统，包括但不限于同步整流DC-DC转换器、48V电源架构、电机控制与驱动、无线充电系统、LED照明驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源和电信设备电源模块。其高频开关特性使其特别适合用于需要高功率密度和高效率的现代电源管理系统。此外，EPC8Q 还适用于工业自动化设备、消费类电子产品以及新能源汽车的车载充电系统等场景。