型号：EPC600-CSP24
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　材料：氮化镓（GaN）
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）：25 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：100 A
　　导通电阻（RDS(on)）：13 mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.7 V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1300 pF
　　输出电容（Coss）：490 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C
　　最大功耗（PD）：4.5 W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：CSP24 芯片级封装
　　安装方式：表面贴装（SMD）

EPC600-CSP24的核心优势在于其采用的增强型氮化镓（eGaN）技术，这种技术克服了传统耗尽型GaN器件在驱动上的复杂性，允许使用标准的CMOS逻辑电平直接驱动，极大简化了电路设计并提高了系统可靠性。该器件具有极低的导通电阻（仅13 mΩ），显著降低了导通损耗，尤其在大电流应用中表现出卓越的能效性能。同时，由于GaN材料本身具备更高的电子迁移率，EPC600-CSP24实现了极快的开关速度，能够支持MHz级别的高频开关操作，从而减小磁性元件和电容的体积，提升整体系统的功率密度。
　　该器件的CSP24封装结构经过优化，具有极低的寄生电感和电阻，有助于抑制开关过程中的电压振铃和电磁干扰（EMI），提高系统的稳定性。此外，其小型化的封装尺寸（通常约为4.5 mm × 3.5 mm）非常适合高密度PCB布局，适用于便携式设备和空间受限的应用场景。EPC600-CSP24还具备出色的热传导性能，通过底部裸露焊盘可有效将热量传导至PCB，实现良好的散热管理。
　　另一个关键特性是其零反向恢复电荷（Qrr = 0），这意味着在同步整流或桥式拓扑中不会产生反向恢复损耗，极大地提升了轻载和动态负载条件下的转换效率。这一特性在软开关拓扑如LLC谐振转换器和多相VRM中尤为重要。此外，器件具备良好的抗雪崩能力，并支持宽范围的工作结温（-55°C 至 +150°C），确保在严苛环境下的长期可靠运行。EPC公司还提供了详细的热仿真模型和参考设计，帮助工程师快速完成产品开发与验证。

EPC600-CSP24广泛应用于需要高效率和高频率工作的电力电子系统中。其主要应用领域包括数据中心和服务器电源中的48 V中间母线转换器，这类系统要求高功率密度和低能耗，而EPC600-CSP24的高频能力和低损耗特性正好满足这些需求。在无线功率传输系统中，例如无线充电板和电动牙刷充电底座，该器件能够支持MHz级的谐振频率，提升能量传输效率并减少发热。
　　在汽车电子领域，EPC600-CSP24被用于车载激光雷达（LiDAR）系统的脉冲功率驱动电路，其快速开关能力可生成纳秒级的高精度电流脉冲，用于控制激光二极管的发射，从而实现高分辨率的距离检测。此外，在射频功率放大器的包络跟踪电源（Envelope Tracking）中，该器件能够动态调节供电电压，提高PA的整体能效。
　　其他应用还包括工业电机驱动中的低电压H桥电路、DC-DC多相降压转换器、太阳能微型逆变器以及高端FPGA和ASIC的点负载（POL）电源。由于其优异的热性能和可靠性，EPC600-CSP24也适用于航空航天和国防领域的高可靠性电源系统。随着GaN技术的普及，越来越多的消费类电子产品也开始采用此类高性能器件以提升整体能效和产品竞争力。

EPC2045
　　EPC2053
　　LMG5200