时间：2025/12/25 5:16:58
阅读：16
EPC4QC100N 是由 Efficient Power Conversion（EPC）公司推出的一款氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），属于第三代增强型氮化镓晶体管系列。这款器件设计用于高性能电源转换应用，如DC-DC转换器、负载点电源（POL）、无线充电和D类音频放大器。EPC4QC100N 采用先进的eGaN? 技术，提供比传统硅基MOSFET更优的导通电阻（RDS(on)）和开关性能，从而实现更高的功率密度和效率。
类型：氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
漏源电压（VDS）：100 V
连续漏极电流（ID）：40 A
导通电阻（RDS(on)）：10 mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：四方扁平无引线封装（QFN）
栅极电荷（QG）：10 nC（典型值）
漏源击穿电压（BVDSS）：100 V
EPC4QC100N 拥有多项卓越的技术特性，使其在高频率和高效率电源应用中表现出色。
首先，该器件采用先进的氮化镓（GaN）技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），在100V漏源电压下可实现10mΩ的最大值，从而降低了导通损耗并提高了整体效率。
其次，EPC4QC100N 具有出色的开关性能，其低栅极电荷（QG）和输出电容（COSS）使得在高频开关应用中能够显著降低开关损耗，支持高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率。
此外，该器件采用QFN封装，具有较小的封装尺寸和良好的热性能，有助于提高功率密度并简化PCB布局设计。
在可靠性和耐用性方面，EPC4QC100N 支持宽温度范围（-55°C 至 150°C），适用于各种严苛的工作环境，并通过了AEC-Q101汽车级认证，确保其在汽车电子应用中的可靠性。
最后，该器件具有良好的栅极驱动兼容性，支持标准的12V栅极驱动电压，简化了与现有MOSFET驱动器的集成。
EPC4QC100N 主要应用于需要高效率和高功率密度的电源转换系统。典型应用包括同步整流降压（Buck）和升压（Boost）转换器、48V DC-DC 转换器、服务器电源、电信电源系统、无线充电系统、D类音频放大器以及工业自动化和机器人系统中的电源模块。由于其卓越的开关性能和高可靠性，该器件特别适合用于高频开关电源和高密度功率模块设计。
在汽车电子领域，EPC4QC100N 也可用于车载充电器（OBC）、48V轻混动力系统、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）等应用场景。
此外，该器件还可用于可再生能源系统，如太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块中。
EPC2055, EPC2045, EPC2034
